Улучшенные квази-2D перовскитные светодиоды с обработкой поли(винилпирролидоном): рекордная яркость и эффективность
Аннотация
В данной работе мы изготовили квази-2D перовскитные светодиоды (PeLED) на основе PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 с обработкой поли(винилпирролидоном) (PVP) и достигли пиковой яркости 10 700 кд/м2 и пиковой токовой эффективности 11,68 кд/А, что в три и десять раз выше, соответственно, чем у исходного устройства (без PVP). Это обусловлено тем, что добавка PVP подавляет пористость перовскитных пленок благодаря отличным пленообразовательным свойствам, тем самым препятствуя утечке тока. Кроме того, обработка PVP способствует формированию компактных перовскитных пленок с уменьшением дефектов. Наша работа открывает новый путь для морфологической модуляции квази-2D перовскитных пленок.
Введение
Перовскитные светодиоды (PeLED) привлекли значительное внимание для применения в электролюминесценции следующего поколения благодаря высокому квантовому выходу фотолюминесценции (PLQY), настраиваемой запрещенной зоне, высокой цветовой чистоте и отличным свойствам переноса заряда металлогалогенных перовскитов. Всего за 5 лет эффективность PeLED выросла от < 1% до > 20%. Изначально органико-неорганические гибридные перовскиты (OHIP), такие как MAPbBr3, широко использовались как излучающий слой. Однако их постепенно вытеснили полностью неорганические перовскиты, такие как CsPbBr3, из-за споров о химической и термической стабильности OHIP, вызванных слабой связью между органическими катионами и металлодинами.
При использовании чистого CsPbBr3 в качестве излучателя в PeLED производительность часто снижается из-за серьезной утечки тока и высокой нерадиационной рекомбинации, вызванных низким покрытием поверхности и дефектами границ зерен. Кроме того, низкая энергия связи экзитонов в 3D (объемных) перовскитах при комнатной температуре приводит к низкому PLQY при низкой интенсивности возбуждения, что неблагоприятно для работы PeLED. Поэтому рудлсден-попперовские двумерные (квази-2D) перовскиты, известные как L2(CsPbBr3)n-1PbBr4 со слоистой структурой, стали горячим объектом исследований. Введенные большие органические катионы L не могут поместиться в интервали октаэдров [PbBr6]4− из-за большого ионного радиуса, что приводит к формированию слоистой перовскитной пленки со структурой самосборных множественных квантовых колодцев (MQW) при центрифугировании, которая представляет собой смесь слоистых перовскит с разными числами n и разными запрещенными зонами. Органические аммониевые соли, такие как фенилэтиламмоний бромид (PEABr), бутиламмоний бромид (BABr), фенилбутиламмоний бромид (PBABr) и пропиламмоний бромид (PABr), использовались для формирования квази-2D перовскитов.
В нашей предыдущей работе был введен длинноцепочечный аммониевый катион фенилпропиламмоний (PPA), что позволило сформировать PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 для квази-2D PeLED путем регулировки соотношения Cs. Однако из-за множества пористостей в перовскитных пленках, вызывающих серьезную утечку тока, характеристики устройств требовали дальнейшего улучшения. Проблема пористостей характерна не только для наших работ, но и для других исследований квази-2D перовскитов на основе CsPbBr3. Необходимо найти метод решения проблемы пористостей для повышения производительности устройств.
В данном исследовании широко применяемый полимер поли(винилпирролидон) (PVP) с умеренной электропроводностью и отличными пленообразовательными свойствами впервые вводился как добавка для управления морфологией квази-2D перовскитных пленок CsPbBr3 для изготовления PeLED с высокой светосилы и токовой эффективностью. При оптимальном соотношении PVP улучшает компактность перовскитных пленок, обеспечивая меньший размер зерен, уменьшает дефекты границ зерен и подавляет пористость. Таким образом, демонстрируются гладкие и без пористостей квази-2D перовскитные пленки с подавленной утечкой тока и нерадиационной рекомбинацией, что значительно повышает светосилу и эффективность PeLED. Лучшее устройство показало максимальную светосилу 10 700 кд/м2 и токовую эффективность 11,68 кд/А, что в три и десять раз выше, соответственно, чем у исходного устройства.
Методы
PbBr2 (99,999%), CsBr (99,999%), поли(винилпирролидон) (PVP) и LiF приобретены в Sigma-Aldrich. Диметилсульфоксид (DMSO) приобретен в Alfa Aesar. PEDOT:PSS (AI4083, Heraeus), 1,3,5-трис(2-N-фенилбензимидазолил)бензол (TPBi) и PPABr приобретены в Xi'an Polymer Light Technology Corp. Все материалы использовались без дополнительной очистки.
Квази-2D PeLED изготавливались со структурой индиевый-оловоистий оксид (ITO)/PEDOT:PSS/квази-2D перовскит с PVP или без него/TPBi/LiF/Al, как показано на рис. 1. Подложки ITO очищали в ультразвуковой ванне с моющим средством, ацетоном, деионизированной водой и изопропиловым спиртом последовательно. Перед использованием подложки обрабатывали ультрафиолетовым озonom в течение 15 мин после сушки в печи. Для приготовления перовскитного предшественника PVP растворяли в DMSO с различными концентрациями 0, 2, 3 и 4 мг/мл. Все растворы перемешивали со скоростью 600 об/мин при 60 °C в течение 6 ч. Затем перовскитные предшественники готовили путем растворения 31,9 мг PPABr, 21,2 мг CsBr и 55,5 мг PbBr2 в 1 мл вышеуказанных растворов PVP-DMSO с разными концентрациями. Растворы перемешивали со скоростью 400 об/мин при 60 °C в течение 12 ч. PEDOT:PSS наносили центрифугированием на подложки ITO со скоростью 3000 об/мин в течение 60 с для образования слоя толщиной ~ 40 нм. После отжига при 140 °C в течение 20 мин в воздухе подложки переносили в перчаточный бокс с азотом для нанесения перовскитного слоя. Перовскитные пленки наносили центрифугированием предшественников с разным составом PVP со скоростью 3000 об/мин в течение 120 с и отжигом при 100 °C в течение 15 мин. Далее 40-нм слой TPBi осаждали испарением на перовскитную пленку, затем LiF (1 нм) и Al (100 нм) термическим осаждением в высоком вакууме. Площадь перекрытия электродов ITO и Al составляла 0,1 см2.
Архитектура квази-2D PeLED и химическая структура излучающего слоя
Все измерения PeLED проводили при комнатной температуре в перчаточном боксе с азотом. Вольт-амперные характеристики (J-V-L) регистрировали с помощью двух компьютерно-управляемых цифровых измерителей Киттли 2400, соединенных с калиброванным Si-фотодиодом. Морфологию перовскитов характеризовали с помощью сканирующей электронной микроскопии (SEM, ZEISS GeminiSEM 300) и атомно-силовой микроскопии (AFM, AFM 5500, Agilent, режим Tapping). Рентгеновскую дифракцию (XRD X'Pert PRO, PANalytical) проводили на подложках ITO/PEDOT:PSS/квази-2D перовскит с Cu Kα излучением (30 кВ, 20 мА). Спектры поглощения пленок на кварцевых подложках измеряли на системе Cary 5000 UV-Vis-NIR (Agilent). Стационарные спектры фотолюминесценции (PL) измеряли на флуоресцентном спектрофотометре (F7000, HiTACHI) с ксеноновой лампой 400 Вт (длина волны возбуждения 350 нм). Временнозависимая фотолюминесценция (TRPL) измеряли с помощью флуоресцентного спектрофотометра, соединенного с системой подсчета одиночных фотонов (TCSPC).
Результаты и обсуждение
Влияние обработки PVP на морфологию и кристаллизацию квази-2D перовскита изучали методами SEM и AFM (рис. 2 и 3). Все образцы показывают полное покрытие. Однако на рис. 2a и 3a видно множество пористостей в чистой пленке PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 с относительно крупными зернами (~ 30 нм), что может вызывать серьезную утечку тока и ограничивать характеристики устройства. Согласно предыдущим отчетам, качество перовскитных пленок можно улучшить внедрением полимеров. Действительно, согласно рис. 2b–d, морфология перовскита значительно улучшается при добавлении PVP, демонстрируя компактную морфологию с небольшим числом пористостей. На рис. 2b видно, что добавка 2 мг/мл PVP способствует росту мелкозернистой компактной морфологии с небольшим числом пористостей. С увеличением концентрации PVP образуются безпористые пленки (рис. 2c, d) с мелкими зернами (< 10 нм). Шероховатость (RMS) чистой пленки составляет 1,44 нм, что снижается до 0,76 нм при добавлении 2 мг/мл PVP (рис. 3a, b). При увеличении концентрации до 3 мг/мл шероховатость почти не меняется. Однако при 4 мг/мл поверхность снова становится шершавой (рис. 3d), вероятно, из-за агрегации PVP, что неблагоприятно для впрыска носителей из электронно-транспортного слоя (ETL) в перовскитный. Дальнейшее увеличение концентрации PVP не проводили. Результаты показывают, что правильное добавление PVP способствует формированию плотных, гладких и безпористых перовскитных пленок с однородным размером зерен.
SEM-изображения перовскитных пленок: a чистый PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 и PVP-обработанный перовскит с концентрацией b 2 мг/мл, c 3 мг/мл и d 4 мг/мл
AFM-топографии соответствующих перовскитных пленок: a чистый PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 и PVP-обработанный перовскит с концентрацией b 2 мг/мл, c 3 мг/мл и d 4 мг/мл
UV-Vis спектры поглощения квази-2D перовскитных пленок получены (рис. 4a) для подтверждения существования низкоразмерных фаз. Пленка без PVP имеет слабые экзитонные пики поглощения при 438 и 458 нм, соответствующие фазам n = 2 и n = 3. При внедрении PVP оба пика становятся слабее, что означает, что PVP смягчает рост фаз с малыми n, способствуя фазам с большими n. Для изучения влияния концентрации PVP на кристаллическую структуру провели XRD (рис. 4b). Все пленки имеют дифракционные пики при 15,2° и 30,4°, соответствующие (100) и (200) кристаллическим плоскостям кубической структуры. С увеличением концентрации PVP полуширина пика (200) увеличивается, что указывает на постепенное подавление роста перовскитных кристаллов, что согласуется с SEM-данными.
a UV-Vis поглощение квази-2D перовскитных пленок. b XRD-спектры квази-2D перовскитных пленок
Спектры фотолюминесценции (PL) пленок с разными концентрациями PVP показаны на рис. 5a вместе с фотографией пленок под UV-лампой (365 нм). Пик PL смещается в синюю область с 517 нм (чистая пленка) до 512 нм, что согласуется с отчетами о том, что мелкозернистые пленки имеют синий сдвиг PL по сравнению с крупнозернистыми. Пленка с 3 мг/мл PVP показывает наивысшую интенсивность PL при одинаковых условиях возбуждения, что подтверждается фотографией. Для понимания влияния PVP на экзитонные свойства измеряли TRPL (рис. 5b), которые хорошо аппроксимируются биэкспоненциальным выражением (1).
a Спектры PL квази-2D перовскитных пленок с разными концентрациями PVP; вставка — изображение пленок под UV-лампой 365 нм. b Временнозависимая фотолюминесценция пленок с разными концентрациями PVP
Время жизни PL квази-2D перовскита рассматривается как сумма быстрого и медленного компонентов распада, характеризуемых коротким временем τ1 и длинным τ2. Аппроксимированные значения приведены в таблице 1. Среднее время жизни чистой пленки мало (7,5 нс) и значительно улучшается при внедрении PVP. При увеличении концентрации PVP среднее время жизни τavg пленки с 3 мг/мл достигает максимума 19,88 нс, что свидетельствует об уменьшении плотности дефектных состояний. При избыточном PVP (4 мг/мл) среднее время жизни снижается, вероятно, из-за возникающих дефектных состояний, вызванных шершавой поверхностью (рис. 3d). Таким образом, правильное количество PVP снижает ловушечную плотность за счет пассивации границ зерен, что благоприятно для характеристик PeLED.
Для изучения применимости PVP в квази-2D PeLED изучали устройства с разными объемными соотношениями PVP при той же архитектуре (рис. 1). Вольт-амперные характеристики (L-V и J-V) и соответствующие кривые токовой эффективности (CE) показаны на рис. 6a–c. Характеристики устройств без и с PVP суммированы в таблице 2.
a Зависимость светосилы от напряжения (L-V), b зависимости плотности тока от напряжения (J-V) и c токовой эффективности от плотности тока (CE-J) квази-2D PeLED с разными концентрациями PVP. d Нормированные спектры электролюминесценции (EL) квази-2D PeLED с разными концентрациями PVP. Вставка — яркое EL-изображение PeLED с 3 мг/мл PVP
PeLED на чистом PPA2(CsPbBr3)2PbBr4 имеют максимальную светосилу 2920 кд/м2, а CE ограничена 1,38 кд/А. Причина низких характеристик — плохая морфология пленки с множеством пористостей и дефектов границ зерен. Как показано на рис. 6b, добавка PVP значительно снижает утечку тока при низких напряжениях, демонстрируя подавление шунтирующих путей в перовскитной пленке. Результат хорошо согласуется с морфологической характеристикой. PeLED с 2 мг/мл PVP демонстрирует улучшенную пиковую светосилу 6870 кд/м2 и CE 10,83 кд/А (рис. 6a, c). При увеличении концентрации PVP светосила и CEさらに улучшаются: устройство с 3 мг/мл PVP показывает пиковую светосилу 10 720 кд/м2 (почти пятикратное улучшение по сравнению с устройством без PVP) и CE 11,68 кд/А. EL-спектры (рис. 6d) показывают ту же тенденцию, что и PL-пики: с увеличением PVP EL-пики смещаются в синюю область с 522 до 516, 513 и 512 нм. Это подтверждает, что PVP ограничивает рост зерен перовскита, уменьшая их размер и вызывая синий сдвиг EL-пика.
Для проверки воспроизводимости изготовили две группы устройств: без PVP и с 2 мг/мл PVP. Каждая группа содержала 48 устройств, изготовленных по одному процессу. Гистограммы распределения светосилы и CE с гауссовской аппроксимацией показаны на рис. 7. У устройств без PVP 50% имеют светосилу > 2200 кд/м2 и CE > 1,1 кд/А (рис. 7a, c). При этом 60% PVP-устройств дают светосилу > 9000 кд/м2 и CE > 10 кд/А (рис. 7b, d). Эти результаты подтверждают, что добавка PVP улучшает характеристики квази-2D PeLED и обеспечивает лучшую воспроизводимость по сравнению с контрольными образцами.
Распределение характеристик квази-2D PeLED. Максимальная светосила a без PVP и b с 3 мг/мл PVP. Максимальная CE c без PVP и d с 3 мг/мл PVP
Заключение
Демонстрированы высокопроизводительные квази-2D PeLED с CE до 11,68 кд/А за счет полимерной добавки PVP. Результаты показывают, что PVP способствует формированию компактных, гладких и безпористых перовскитных пленок с мелким размером зерен. Утечка тока и нерадиационная рекомбинация значительно подавляются при обработке PVP. Следовательно, по сравнению с плохими характеристиками контрольных устройств (без PVP), в квази-2D PeLED с PVP достигнуто существенное увеличение как яркости, так и эффективности: лучшее устройство дает CE 11,68 кд/А и максимальную светосилу 10 700 кд/м2. Этот метод может служить руководством для морфологического контроля квази-2D перовскитных пленок, тем самым улучшая характеристики перовскитных оптоэлектронных устройств.
Доступность данных и материалов
Все данные полностью доступны без ограничений.
Аббревиатуры
- AFM:
- Атомно-силовая микроскопия
- Al:
- Алюминий
- BABr:
- Бутиламмоний бромид
- CE:
- Токовая эффективность
- CsBr:
- Цезий бромид
- DMSO:
- Диметилсульфоксид
- EL:
- Электролюминесценция
- EQE:
- Внешний квантовый выход
- ITO:
- Индиевый-оловоистий оксид
- J-V:
- Плотность тока-Напряжение
- LiF:
- Фторид лития
- L-V:
- Светосила-Напряжение
- OHIP:
- Органико-неорганические гибридные перовскиты
- PABr:
- Пропиламмоний бромид
- PBABr:
- Фенилбутиламмоний бромид
- PbBr2:
- Бромид свинца
- PEABr:
- Фенилэтиламмоний бромид
- PEDOT:PSS:
- Поли(3,4-этилендиокситиофиен):поли(стирол-сульфонат)
- PeLED:
- Перовскитные светодиоды
- PL:
- Фотолюминесценция
- PLQY:
- Квантовый выход фотолюминесценции
- PPA:
- Фенилпропиламмоний
- PVP:
- Поли(винилпирролидон)
- quasi-2D:
- Рудлсден-Попперовские двумерные
- SEM:
- Сканирующая электронная микроскопия
- XRD:
- Рентгеновская дифракция
Наноматериалы
- Экологичная síntesis InP/ZnS core/shell квантовых точек для высокопроизводительных безглынистых СВЕТодиодов
- 3D взаимосвязанные V₆O₁₃ нанопластинки на углеродированном текстиле: высокопроизводительный гибкий катод для л…
- Ультра-эффективные AlGaN глубокие UV-светодиоды с суперрешетчатым p-блокирующим слоем для почти нулевого падени…
- Улучшенные магнитные и оптические свойства Pr-легированных наночастиц La0.67Ca0.33MnO3, полученных сол-гелевым метод…
- Повышение эффективности перовскитных СИД за счет обработки PEDOT:PSS высокополярными спиртами
- Низкотемпературные UV-отвержденные SnO₂ электронно-транспортные слои дают 14,4% КПД в планарных перовскитных сол…
- Улучшенное распределение тока в AlGaN-основанных глубоких УФ-светодиодах через PNP-AlGaN структуры
- Оптимизация ширины квантовой ямы для пиковой электролюминесценции в AlGaN глубоких УФ-светодиодах в широком ди…
- Высокопроизводительный перовскитовый фотодетектор через трислойную архитектуру EA/TiO₂
- Морской еж-образный NiCo₂O₄ через зарядо-управляемую самоорганизацию для превосходной производительности Li-ион…