Высокопроизводительные перовскитные транзисторы теперь печатны: Прорыв POSTECH

Исследовательская команда Похангского университета науки и технологий (POSTECH) улучшила производительность p-типа полупроводникового транзистора с использованием неорганического металл-галидного перовскита. Одно из крупнейших преимуществ новой технологии — она позволяет растворимым перовскитным транзисторам просто печататься как полупроводниковые схемы.

Перовскитные транзисторы управляют током, комбинируя p-типы полупроводников, демонстрирующие подвижность дырок, с n-типами полупроводников. По сравнению с n-типами полупроводников, которые активно изучались до сих пор, фабрикация высокопроизводительных p-типов полупроводников была проблемой.

Многие исследователи пытались использовать перовскит в p-типах полупроводников за его отличную электрическую проводимость, но его плохая электрическая производительность и воспроизводимость препятствовали коммерциализации.

Для преодоления этой проблемы исследователи использовали модифицированный неорганический металл-галид: цезий-олово-трийодид (CsSnI3), для разработки p-типа перовскитного полупроводника и изготовили высокопроизводительный транзистор на этой основе. Транзистор демонстрирует высокую подвижность дырок 50 см²/В·с и более и отношение тока включения/выключения более 10⁸. Это самая высокая записанная производительность среди разработанных до сих пор перовскитных полупроводниковых транзисторов.

Превращая материал в раствор, исследователям удалось просто печатать p-тип полупроводниковый транзистор как при печати документа. Поскольку этот метод не только удобен, но и экономичен, он может привести к коммерциализации перовскитных устройств в будущем.

«Новоразработанный полупроводниковый материал и транзистор могут быть широко применимы для логических схем в высококлассных дисплеях и в носимых электронных устройствах. Они также могут использоваться в наложенных электронных схемах и оптоэлектронных устройствах путем вертикального наложения их с кремниевыми полупроводниками», — объяснил профессор Ён-Ён Но.