Высокопроизводительные перовскитные транзисторы можно печатать

Исследовательская группа Пхоханского университета науки и технологий (POSTECH) улучшила характеристики полупроводникового транзистора p-типа с использованием перовскита из неорганического галогенида металла. Одним из самых больших преимуществ новой технологии является то, что она позволяет просто печатать перовскитные транзисторы, обработанные раствором, в виде полупроводниковых схем.

Транзисторы на основе перовскита управляют током, комбинируя полупроводники p-типа, обладающие подвижностью дырок, с полупроводниками n-типа. По сравнению с полупроводниками n-типа, которые до сих пор активно изучались, изготовление высокопроизводительных полупроводников p-типа было сложной задачей.

Многие исследователи пытались использовать перовскит в полупроводниках p-типа из-за его превосходной электропроводности, но его плохие электрические характеристики и воспроизводимость препятствовали коммерциализации.

Чтобы решить эту проблему, исследователи использовали модифицированный неорганический галогенид металла:трииодид цезия-олова (CsSnI3) для разработки перовскитного полупроводника p-типа и изготовления высокопроизводительного транзистора на его основе. Транзистор демонстрирует высокую подвижность дырок 50 см ² . В ^-1 с ^-1 и более, а также отношение тока включения/выключения более 108. Это самая высокая зарегистрированная производительность среди перовскитных полупроводниковых транзисторов, которые были разработаны до сих пор.

Превратив материал в раствор, исследователям удалось просто напечатать полупроводниковый транзистор p-типа, как если бы он распечатал документ. Поскольку этот метод не только удобен, но и экономичен, он может привести к коммерциализации перовскитовых устройств в будущем.

«Недавно разработанный полупроводниковый материал и транзистор могут найти широкое применение в логических схемах высокопроизводительных дисплеев и носимых электронных устройств. Их также можно использовать в многослойных электронных схемах и оптоэлектронных устройствах путем их вертикального наложения на кремниевые полупроводники», — пояснил профессор Йонг-Янг Но.