Инженерная фазовая настройка повышает эффективность квази-2D неорганических перовскитных СИД за счет контроля соотношения цезиевых катионов
Аннотация
Квази-двумерные (2D) перовскиты выступают перспективными люминофорами благодаря их большой энергии связи экзитонов и исключительной фотолюминесцентной эффективности. На практике однако эти материалы часто содержат смесь фаз, и присутствие избыточных низкоразмерных компонентов серьезно ухудшает характеристики устройств из-за выраженного квантования экзитон-фонон при комнатной температуре. Мы представляем простой, масштабируемый подход для подавления роста низкоразмерных фаз путем точной настройки молярного соотношения бромида цезия (CsBr) к бромиду фенилпропиламмония (PPABr) в прекурсоре. Полученная квази-2D перовскитная пленка дает светодиод с пиковой яркостью 2921 кд/м2 и токовым КПД 1.38 кд/А, что значительно превосходит характеристики устройств на основе чистого CsPbBr3. Эта работа демонстрирует надежный путь фазового контроля в квази-2D перовскитах, позволяя создавать высокоэффективные перовскитные СИД (PeLED).
Введение
Перовскитные материалы быстро привлекли внимание для тонкопленочных светодиодов благодаря настраиваемой люминесценции, высокой амбиполярной подвижности зарядов, возможности растворительного осаждения и низкой стоимости. Однако изначально низкая энергия связи экзитонов и ограниченная пленкообразовательная способность трехмерных (3D) перовскитов часто приводят к неоптимальным излучательным свойствам. За прошедшее десятилетие для повышения световой эффективности перовскитных СИД применяли различные подходы — модуляцию состава, интерфейсную инженерию, фиксацию нанокристаллов, оптимизацию растворителей и полимерное легирование. Современные устройства достигли внешних квантовых выходов (EQE), близких к 20 %, что сравнимо с передовой OLED и подчеркивает потенциал перовскитов для освещения и дисплеев. Квази-2D перовскиты, обобщенно описываемые как L2(CsPbX3)n‑1PbX4, стали перспективными излучающими материалами. Их слоистая структура, формируемая крупными органическими аммониевыми катионами, которые не встраиваются в октаэдрическую решетку PbX64−, создает архитектуру множественных квантовых ям с усиленным замыканием экзитонов и, следовательно, более высокими квантовыми выходами фотолюминесценции (PLQY) и улучшенной экологической стабильностью по сравнению с 3D-аналогами. Исторически фенилэтиламмоний (PEA) и бутиламмоний (BA) вводили в прекурсоры для получения зеленых PeLED с EQE 8.8–14.4 % и яркостью до 8779 кд/м2. Аналогичные успехи показаны для небесно-голубых устройств с смешанными донорами PEA и изопропиламмония (IPA). Несмотря на прогресс, квази-2D перовскиты часто демонстрируют смешанно-фазовый состав, особенно в стехиометрических формулировках n = 3. Низкоразмерные фазы (малые n) вредят, так как способствуют нерадиативному экзитон-фононному взаимодействию при комнатной температуре, снижая световую эффективность. Достижение высокой фазовой чистоты остается центральной задачей. В данном исследовании мы вводим избыточные цезиевые катионы в прекурсор перовскита n = 3 для подавления образования низкоразмерных фаз. Полученная квази-2D пленка, состоящая из бромида фенилпропиламмония (PPABr) и CsPbBr3, демонстрирует превосходную морфологию, сниженную дефектность и значительно усиленную фотолюминесценцию. Устройства с таким оптимизированным излучающим слоем достигают пиковой яркости 2921 кд/м2 и токового КПД 1.38 кд/А — почти втрое выше по сравнению со стехиометрической пленкой n = 3.
Методы
Все реактивы использовались как получено. Бромид свинца (PbBr2; Alfa Aesar, 99.999 %), диметилсульфоксид (DMSO; 99.5 % безводный, J&K Chemicals), PEDOT:PSS (Heraeus, VP AI4083), TPBi (≥ 99.9 %), бромид цезия (CsBr; 99.9 %) и бромид фенилпропиламмония (PPABr; ≥ 99.5 %) приобретены у Xi'an Polymer Light Technology Corp. Перовскитные прекурсоры готовили путем смешивания PPABr, CsBr и PbBr2 в DMSO при 60 °C в течение суток. Изучали четыре молярных соотношения: 2:2:3, 2:3:3, 2:3.5:3 и 2:4:3 (PPABr:CsBr:PbBr2), сохраняя концентрацию PbBr2 постоянной 0.15 M. Стеклянные подложиты с ITO последовательно очищали в детергенте, деионизированной воде, ацетоне и изопропаноле по 20 мин, сушили при 80 °C 40 мин и обрабатывали в UV-озоновой камере 20 мин. PEDOT:PSS фильтровали (0.45 мкм PTFE) и центрифугировали при 2900 об/мин 60 с, затем выдерживали при 150 °C 20 мин. Подложиты переносили в азотную перчаточную коробку для сборки устройств. Перовскитные пленки центрифугировали при 3000 об/мин 90 с и отжигали при 90 °C 15 мин, получая толщину ~70 нм. Последовательно термически испаряли TPBi (40 нм), LiF (1 нм) и Al (100 нм) при остаточном давлении 4 × 10−4 Па. Активная площадь каждого PeLED составляла 0.11 см2. Электрические и оптические измерения проводили в перчаточной коробке без герметизации. Вольт-амперные и световые характеристики (J-L-V) записывали с помощью Keithley 2400 и откалиброванного кремниевого фотодиода. Спектры электролюминесценции (EL) снимали спектрометром PR670. Морфологию изучали FESEM (ZEISS GeminiSEM 300) и AFM (Agilent AFM 5500). Структурный анализ — рентгеновской дифракцией (XRD; X'Pert PRO, PANalytical). UV-Vis абсорбцию — на Agilent Cary 5000. Стационарную фотолюминесценцию (PL) — на HITACHI F7000, а затухание PL во времени (TRPL) — на Edinburgh FLS980.
Результаты и обсуждение
Характеристика перовскитных пленок
На рис. 1a показаны спектры поглощения эталонных пленок 3D CsPbBr3 и 2D PPA2PbBr4. Пленка CsPbBr3 имеет максимум около 517 нм, тогда как PPA2PbBr4 демонстрирует выраженный пик при 400 нм, подтверждая наличие фаз n = 1 и n = ∞ и иллюстрируя сильное квантовое замыкание в 2D материале. Для смешанно-фазовых пленок множество пиков поглощения указывает на сосуществование нескольких значений n. В составе n = 3 с соотношением 2:2 поглощение, ассоциированное с низко-n фазами, доминирует, что свидетельствует о высоком содержании низкоразмерных компонентов. При увеличении CsBr до 2:3 и 2:3.5 появляются признаки промежуточных фаз, что говорит о прогрессивной конверсии низко-n компонентов в фазы с большим n. XRD-паттерны (рис. 1c) показывают два доминирующих пика при 15.15° и 30.45°, отнесенных к плоскостям (100) и (200) орторомбического CsPbBr3. Наблюдаемая предпочтительная ориентация во всех образцах согласуется с литературой. Морфологический анализ SEM и AFM (рис. 2, 3) показывает, что чистые 3D CsPbBr3 пленки имеют шероховатую поверхность с пустотами (RMS = 9.49 нм). Введение PPABr драматически улучшает покрытие и уменьшает размер зерен, снижая RMS до 2.16 нм при соотношении 2:2. Дополнительное увеличение CsBr до 2:3 и 2:3.5 сохраняет гладкую морфологию, тогда как соотношение 2:4 возвращает шероховатость. Эти наблюдения подтверждают, что умеренное добавление CsBr не ухудшает качество пленки. Спектры фотолюминесценции (рис. 4a) показывают синий сдвиг от 524 нм (3D CsPbBr3) до 517 нм (2:2) из-за усиленного квантового замыкания. Увеличение CsBr вызывает незначительный красный сдвиг, а состав 2:3.5 дает наивысшую интенсивность PL при одинаковых условиях возбуждения. Кривые затухания TRPL (рис. 4b) аппроксимировали трехэкспоненциальной моделью, средние времена жизни (τavg) увеличиваются от 7.02 нс (чистый 3D) до 32.11 нс для пленки 2:3.5. Это значительное удлинение отражает снижение ловушечной плотности и улучшенную динамику рекомбинации экзитонов, согласуясь с подавлением низко-n фаз.
Фабрикация СИД
Устройства собирали структурой ITO/PEDOT:PSS/PPA2(CsPbBr3)n‑1PbBr4/TPBi/LiF/Al. Измерения тока-напряжения-яркости (рис. 6c–e) показывают, что включение PPABr заметно снижает утеточные токи при низких смещениях, указывая на меньшее число шунтирующих путей. Пленка 2:2 дает пиковую яркость 1026 кд/м2 и токовый КПД 0.80 кд/А, превосходя 3D-базовую линию более чем на два порядка. Пленка 2:3.5 еще больше улучшает показатели: 2921 кд/м2 яркости и 1.38 кд/А токового КПД — почти втрое выше устройства 2:2. EL-спектры (рис. 6e) демонстрируют незначительный красный сдвиг относительно PL, что типично для работающих PeLED. Эти улучшения приписываются улучшенной морфологии пленке и существенному снижению низкоразмерного фазового содержимого за счет оптимизации соотношения CsBr.
Заключение
Мы разработали простой подход фазовой инженерии, использующий органические спейсеры и контролируемое включение цезия для получения квази-2D перовскитных пленок с превосходной морфологией и фазовой чистотой. Оптимизированное содержание CsBr подавляет формирование низко-n фаз, усиливает фотолюминесценцию и увеличивает время жизни экзитонов. В результате лучший PeLED достигает пиковой яркости 2921 кд/м2 и токового КПД 1.38 кд/А. Эта стратегия предлагает практичный путь к повышению эффективности квази-2D перовскитных СИД и проложить дорогу к будущим высокопроизводительным оптоэлектронным устройствам.
Доступность данных и материалов
Все наборы данных представлены в основной тексте или в дополнительных файлах.
Аббревиатуры
- 2D:
- Двумерный
- 3D:
- Трехмерный
- AFM:
- Атомно-силовой микроскоп
- CE-V:
- Токовый КПД-напряжение
- CsBr:
- Бромид цезия
- EQE:
- Внешний квантовый выход
- FESEM:
- Растровый электронный микроскоп с полевой эмиссией
- ITO:
- Индиевый оловянный оксид
- J-V:
- Вольт-амперная характеристика
- L-V:
- Световая характеристика
- PbBr2:
- Бромид свинца
- PeLED:
- Перовскитный светодиод
- PLQY:
- Квантовый выход фотолюминесценции
- PPABr:
- Бромид фенилпропиламмония
- TRPL:
- Фотолюминесценция с временным разрешением
- XRD:
- Рентгеновская дифракция
- τavg:
- Среднее время жизни
Наноматериалы
- Основы инженерии надежности для заводских инженеров
- IBM и ученые Warwick запечатлели первое высокоразрешающее изображение триангулена, высокореактивной треугольной…
- Ультрачувствительный электрохимический ДНК-биосенсор на акрилово-золотом нанокомпозите для быстрого опред…
- Экологичная síntesis InP/ZnS core/shell квантовых точек для высокопроизводительных безглынистых СВЕТодиодов
- Высокоэффективное производство водорода с помощью иерархических полых сфер ZnO@TiO₂
- Высокая эффективность инвертированных перовскитных солнечных элементов на основе квантовых точек CdSe и слое…
- Оптимизация титановых предшественников для высокопроизводительных компактных слоев TiO₂ в перовскитных солн…
- Оптимизация инженерии спейсеров для двух затворных туннельных FET DRAM: улучшение удержания и снижение статичес…
- Улучшенное распределение тока в AlGaN-основанных глубоких УФ-светодиодах через PNP-AlGaN структуры
- Оптимизация ширины квантовой ямы для пиковой электролюминесценции в AlGaN глубоких УФ-светодиодах в широком ди…