Промышленное производство
Промышленный Интернет вещей | Промышленные материалы | Техническое обслуживание и ремонт оборудования | Промышленное программирование |
home  MfgRobots >> Промышленное производство >  >> Industrial materials >> Наноматериалы

Высокопроизводительное нанопродольное литографирование полимерных тонких пленок методом динамического плуга АФМ

Аннотация

Мы демонстрируем, что динамическое плуговое литографирование (DPL), выполняемое зондом атомно-силового микроскопа (АФМ), позволяет создавать плотные массивы наномасштабных ямок на тонких пленках поли(метилметакрилата) (PMMA) с беспрецедентной скоростью. При царапании поверхности с высокой боковой скоростью в режиме таппинга зонд проникает в полимер и удаляет материал контролируемым, прерывистым образом. Критическая скорость царапания 100 мкм/с разделяет режимы формирования ямок и наношвов. При скоростях выше этого порога можно производить 4800–5800 ямок в секунду, причем для преодоления сопротивления полимеру в стекловидном состоянии требуется 65–80 проникновений зонда. Детальный анализ эластической, пластической фаз и фазы накопления материала объясняет наблюдаемую морфологию и глубину ямок. Экспериментальные результаты, подтвержденные теоретическим моделированием модуля релаксации напряжений, подтверждают жизнеспособность DPL для высокопроизводительного нанофабрикования на полимерных тонких пленках.

Введение

Быстрый рост нанотехнологий стимулировал интерес к наномасштабным структурам для приложений от наноэлектромеханических систем до квантовых точек. Хотя традиционные литографические методы (фокусированный ионный луч, электронно-лучевая, наноимпринт) обеспечивают точный контроль, они ограничены высокой стоимостью, строгими экологическими требованиями и низкой производительностью. В отличие от них, литографирование на основе зонда АФМ предлагает гибкость и высокое разрешение, но традиционно страдает от низкой производительности.

Динамическое плуговое литографирование (DPL) использует прерывистый контакт, присущий таппинг-режиму АФМ, для снижения износа зонда и увеличения скорости удаления материала. Приводя кантилевер близко к резонансной частоте, зонд многократно проникает в поверхность образца, обеспечивая быстрое наноструктурирование. Предыдущие работы показывали пригодность DPL для тонкопленочных материалов, но его полный потенциал для создания крупноплощадных высокоплотных массивов ямок не был изучен.

В данном исследовании представлен подход быстрого сканирующего нанолитографирования (FSN), использующий DPL на коммерческой платформе АФМ, что позволяет достичь высокопроизводительного фабрикования ямок на тонких пленках PMMA с сохранением целостности зонда.

Методы

PMMA (молекулярная масса 120 000) растворяли в хлорбензоле до концентрации 1,25 масс.% и наносили центрифугированием на очищенные кремниевые подложки при 6000 об/мин, получая пленку толщиной ~30 нм. Образцы выдерживали при 125 °C в течение 30 мин для удаления остаточного растворителя.

Все эксперименты проводили на АФМ Bruker Dimension Icon с кремниевым кантилевером (жесткость 42 Н/м, резонансная частота ≈ 320 кГц). Зонд был покрыт алмазоподобным углеродом для продления срока службы. Изображения получали в таппинг-режиме (скорость сканирования 1 Гц, 256 линий). Во время DPL амплитуду возбуждения повышали до V_w (запись) для усиления взаимодействия зонд-образец, затем возвращали к V_r (чтение) для изображения.

Модуль Nanoman управлял траекторией зонда, обеспечивая точный контроль скорости и направления царапания. Все эксперименты проводились при комнатной температуре.

Результаты и обсуждение

Исследовали скорости царапания от 0,1 до 1000 мкм/с. При высоких скоростях (≈ 200 мкм/с) формировались изолированные ямки; при средних (≈ 100 мкм/с) ямки перекрывались, а при низких (≈ 50 мкм/с) возникали наношвы (рис. 1b–d). Расстояние между ямками определяется скоростью царапания, так как взаимодействие зонда с поверхностью повторяется каждый цикл колебания (v / f).

Изучили четыре направления царапания (рис. 2a): V₁/V₃ вдоль длинной оси кантилевера и V₂/V₄ перпендикулярно. АФМ-изображения (рис. 3) показывают, что при 200 мкм/с непрерывные ямки появляются независимо от направления, при 100 мкм/с наблюдаются лишь редкие глубокие ямки, а при 50 мкм/с формируются четкие швы с плостым дном и боковыми навалупами.

Измерения глубины (рис. 4) показывают монотонное уменьшение с ростом скорости. При скоростях ниже 5 мкм/с глубины не зависят от направления (~ 2 нм), но V₃ демонстрирует больший разброс из-за асимметрии зонда. Теоретическое расстояние между последовательными проникновениями зонда (D = v / f) варьируется от 0,52 до 2,33 нм, что обеспечивает 4800–5800 ямок в секунду при скоростях 200–900 мкм/с (рис. 5).

Механизм формирования ямок включает три стадии: (а) эластичная деформация, когда зонд скользит с минимальным удалением материала; (б) пластическая деформация после ~ 40 проникновений, разрывающая цепи PMMA; (в) преодоление навалупы, когда накопленный материал сбрасывается при скольжении зонда над нагноем. Взаимодействие нормальных и касательных сил, описываемое уравнениями (5)–(8), управляет переходами между стадиями.

Используя направления V₁/V₃ и перпендикулярный пит, фабриковали массивы ямок на площадях 5×5 мкм. При 400 мкм/с ямки равномерно распределены с глубиной ~ 2,5 нм (рис. 7). При 200 мкм/с шаг ямок сужается до ~ 70 нм, формы приближаются к круговым (рис. 8a). При 900 мкм/с шаг расширяется до ~ 100 нм, морфология расходится между направлениями (рис. 8b). Анализ быстрого Фурье-преобразования (БПФ) подтверждает обратную зависимость плотности ямок от скорости царапания.

Заключение

Динамическое плуговое литографирование в таппинг-режиме предлагает масштабируемый путь к плотным массивам наножаб на полимерных тонких пленках. Критическая скорость царапания 100 мкм/с разделяет формирование ямок и швов. Выше 5 мкм/с глубина ямок в значительной степени не зависит от направления, в то время как V₃ показывает уменьшенную глубину из-за асимметрии зонда. Поддерживая скорости между 200 и 900 мкм/с, можно генерировать до 5800 ямок в секунду. Процесс основан на повторяющихся эластических, пластических и фазах навалупы, требуя 65–80 проникновений зонда на ямку. Полученные массивы имеют размеры 5 мкм, шаг 70 нм и глубину 2,5 нм, демонстрируя пригодность метода для высокопроизводительного нанофабрикования.

Наноматериалы

  1. Пионеры AFM удостоены Кавлиовской премии по нанонауке
  2. Низкозатратное пакетное изготовление широкополосных металлических планарных микролинз через наносферную л…
  3. Быстрое формирование упорядоченных нанопаттернов в PS-b-P2VP-b-PEO триблоковых кополимерах с использованием LiCl в т…
  4. Высокопроизводительное получение качественных нановолокон модифицированным свободно-поверхностным электр…
  5. Инженерные углозависимые структурно-цветные узоры на выровненных нановолокнах ZnO
  6. Революционная одношаговая масковая дифракционная литография для точных 3D подвесных структур
  7. Ультра-низкопотребляющий резистор-бесплатный опорный напряжение с исключительным PSRR
  8. Высокомобильные Ge p-MOSFET с пассивацией аморфным кремнием: эффекты ориентации поверхности
  9. Высокоточная фабрикация PDMS-нанофлюидных чипов методом нанофрезерования на основе АМФ
  10. Стабильная высокопроводящая полимерная краска для передовых гибких электроник