Промышленное производство
Промышленный Интернет вещей | Промышленные материалы | Техническое обслуживание и ремонт оборудования | Промышленное программирование |
home  MfgRobots >> Промышленное производство >  >> Industrial materials >> Наноматериалы

Монослой Rh-допированного MoTe₂: эффективный датчик и сканер продуктов распада SF₆, проверенный методом DFT

Аннотация

В данной работе с использованием теории первых начал (DFT) исследуются адсорбция и сенсорные свойства монослоя Rh-допированного MoTe₂ (Rh-MoTe₂) по отношению к SO₂, SOF₂ и SO₂F₂, а также поведение допирования Rh на поверхности чистого MoTe₂. Результаты показывают, что позиция TMo является предпочтительным местом допирования Rh с энергией связи Eb = −2,69 эВ. На поверхности Rh-MoTe₂ молекулы SO₂ и SO₂F₂ хемосорбируются с энергией адсорбции Ead = −2,12 и −1,65 эВ соответственно, тогда как SOF₂ физически адсорбируется (Ead = −0,46 эВ). Анализ DOS подтверждает адсорбционную эффективность и иллюстрирует электронное поведение при допировании Rh. Зонная структура и анализ граничных молекулярных орбиталей раскрывают базовый механизм работы Rh-MoTe₂ как резистивного датчика. Анализ десорбции подтверждает потенциал Rh-допированной поверхности как многоразового датчика SO₂ и указывает на возможность её использования как газового сканера для удаления SO₂F₂ в изоляционных устройствах на SF₆. Диэлектрическая функция демонстрирует, что монослой Rh-MoTe₂ является перспективным оптическим датчиком для селективного обнаружения всех трех газов. Работа способствует изучению Rh-MoTe₂ как сенсорного материала или газоадсорбента для обеспечения безопасной эксплуатации изоляционных устройств на SF₆ простым и высокоэффективным способом.

Введение

Изоляционные устройства на SF₆ в высоковольтных и сверхвысоковольтных системах энергоснабжения являются одним из самых важных и дорогостоящих видов оборудования [1–3], наряду с электротрансформаторами [4, 5], гарантирующих безопасную работу всей системы. Это обусловлено сильными свойствами погашения дуги и высокой электроотрицательностью SF₆, который служит изоляционной средой в таких устройствах [6]. Однако при длительной эксплуатации SF₆ может разлагаться на несколько низофтористых сульфидов под действием частичных разрядов, вызванных неизбежными внутренними дефектами оборудования [7, 8]. Эти побочные продукты далее взаимодействуют с следами воды и кислорода, образуя стабильные соединения — SO₂, SOF₂ и SO₂F₂, которые ухудшают изоляционные свойства SF₆ [9]. Следовательно, обнаружение этих продуктов распада является эффективным методом оценки степени разложения SF₆ и отражения эксплуатационного состояния изоляционных устройств [10].

С растущим интересом к дихалкогенидам переходных металлов (TMD) были предложены датчики на основе MoS₂ для обнаружения продуктов распада SF₆ [11–13]. Эти работы продемонстрировали пригодность и превосходство монослоев MoS₂, донированных переходными металлами (TM), для сенсирования SO₂ и SOF₂. Кроме того, теоретическое исследование сенсорных характеристик pristine MoTe₂ по отношению к продуктам распада SF₆ подтвердило его пригодность для детектирования SO₂ [14]. Недавние достижения в химическом осаждении из паровой фазы (CVD) для крупномасштабного синтеза TMD существенно ускорили развитие монослоев MoTe₂ для газосенсорных приложений [15–17]. Как сообщается, MoTe₂ обладает высокой подвижностью носителей заряда, большой длиной связи и низкой энергией связи, что обеспечивает высокую чувствительность к взаимодействию с газами при комнатной температуре [18]. Таким образом, MoTe₂ является перспективным кандидатом для газовых датчиков, и его применение для обнаружения продуктов распада SF₆ должно быть дополнительно изучено.

Хорошо известно, что TM-допированные 2D-наноматериалы обладают более сильной адсорбционной эффективностью и сенсорным поведением по сравнению с pristine поверхностями [19–22]. Это связано с высокой химической активностью и каталитическим поведением TM, чьи d-орбитали сильно гибридизируют с орбиталами адсорбированных молекул, способствуя хемосорбции и увеличению зарядопереноса [23–25]. Что касается MoTe₂, насколько нам известно, существует мало теоретических отчетов о допировании TM на его монослое; также мало изучены адсорбция и сенсирование TM-допированного MoTe₂. Среди TM родрий (Rh) с высокой каталитической активностью демонстрировался желательным допантом на других наноповерхностях для газоадсорбции [26, 27]. В частности, работа [26] изучает допирование Rh на MoSe₂ и его улучшенную эффективность для адсорбции токсичных газов. С этой точки зрения интересно изучить методом первых начал допирование Rh на менее изученном MoTe₂ для сравнения геометрических свойств и лучшего понимания допирования Rh на TMD. Кроме того, были теоретически смоделированы адсорбция и сенсорные свойства Rh-допированного MoTe₂ (Rh-MoTe₂) по отношению к трем продуктам распада SF₆ — SO₂, SOF₂ и SO₂F₂ — для оценки их потенциала в типовых областях. Электронные и оптические свойства Rh-MoTe₂ при газоадсорбции дают базовые механизмы для его исследования как резистивного или оптического газового датчика. Анализ десорбции подтверждает потенциал Rh-MoTe₂ как газового адсорбента для удаления этих вредных газов в изоляционных устройствах на SF₆, что с другой стороны гарантирует безопасную работу энергосистемы. Работа значима для предложения новых наносенсорных материалов и их применения для оценки состояния изоляционных устройств на SF₆ простым и высокоэффективным способом.

Вычислительные детали

Все результаты получены в пакете Dmol³ [28] на основе теории функционала плотности (DFT). Для учета сил Ван-дер-Ваальса и дальнодействующих взаимодействий использован метод DFT-D Гримме [29]. Функционал Пердева-Бёрка-Эрнцергофа (PBE) с обобщенным градиентным приближением (GGA) применен для описания электронного обмена и корреляции [30]. В качестве атомного орбитального базиса использован двойной числовой поляризованный набор (DNP) [31]. Сетка k-точек Монкхорста-Пака 7×7×1 использовалась для геометрической оптимизации суперячейки, а более точная сетка 10×10×1 — для расчетов электронной структуры [32]. Точность по энергии, максимальная сила и смещение установлены как 10⁻⁵ Ha, 2×10⁻³ Ha/Å и 5×10⁻³ Å [33]. Для статических расчетов электронной структуры: энергия самосогласованного цикла 10⁻⁶ Ha, глобальный радиус отсечения орбиталей 5,0 Å для точных результатов полной энергии [34].

Была построена суперячейка 4×4 монослоя MoTe₂ с вакуумной областью 15 Å, содержащая 16 атомов Mo и 32 атома Te. Доказано, что суперячейка 4×4 достаточно велика для моделирования газоадсорбции, а 15 Å предотвращают взаимодействие между соседними ячейками [35]. Для анализа атомного заряда Rh (QRh) и молекулярного заряда адсорбированных молекул (QT) использовался метод Хиршфельда [36]. Положительное значение QRh (QT) означает, что Rh (газовая молекула) является донором электронов, отрицательное — акцептором. На рисунках показаны только наиболее благоприятные конфигурации.

Результаты и обсуждение

Анализ монослоя Rh-MoTe₂

Рассмотрены четыре возможных места адсорбции Rh на MoTe₂: TH (центр гексагонального кольца), TMo (над атомом Mo), TTe (над атомом Te) и TB (мостовой сайт между двумя Te). Энергия связи (Eb) для допирования Rh:

Eb = ERh-MoTe₂ − ERh − EMoTe₂ (1)

где ERh-MoTe₂, ERh, EMoTe₂ — энергии Rh-MoTe₂, изолированного Rh и pristine MoTe₂.

На рис. 1 показана наиболее стабильная конфигурация (MSC) с наименьшим Eb и соответствующая плотность деформации электронов (EDD). Rh занимает сайт TMo, образуя три ковалентные связи с соседними атомами Te верхнего слоя. Длины связей Rh-Te равны 2,54 Å, что меньше суммы ковалентных радиусов Rh и Te (2,61 Å [37]), подтверждая формирование химических связей. Расчетный Eb = −2,69 эВ, что значительно ниже (более стабильно), чем для TH (−2,14 эВ), TTe (−1,28 эВ) и TB (−2,55 эВ). Связи Rh-Te в Rh-MoTe₂ длиннее связей Rh-Se в Rh-MoSe₂, а Eb меньше, что указывает на более сильную связующую силу Rh-Se по сравнению с Rh-Te. По методу Хиршфельда Rh ведет себя как акцептор электронов, принимая 0,045 e от поверхности MoTe₂, что согласуется с EDD, где вокруг Rh наблюдается накопление электронов.

а MSC и б EDD монослоя Rh-MoTe₂. Зеленые (розовые) области соответствуют накоплению (истощению) электронов. Изоповерхность 0,005 e/ų.

На рис. 2 показана зонная структура (BS) и плотность состояний (DOS) для понимания изменений в электронном поведении MoTe₂ при допировании Rh. Pristine MoTe₂ имеет прямую запрещенную зону 1,10 эВ [38]. Для Rh-MoTe₂ полоса составляет 0,937 эВ (рис. 2а), что указывает на появление примесных состояний в запрещенной зоне и переход к непрямому полупроводнику (вершина валентной зоны в Γ, дно проводимой зоны в K). На рис. 2б видно, что состояния Rh вносят большой вклад в вершину проводимой зоны pristine MoTe₂, образуя новые пики DOS у ферми-уровня, что снижает электрическую проводимость. Поскольку Rh связывается с Te, на рис. 2в показаны атомные DOS Rh и Te: орбиталь Rh 4d сильно гибридизирована с орбиталью Te 5p от −5 до 2 эВ, что объясняет образование химических связей Rh-Te.

а BS Rh-MoTe₂; б сравнение DOS pristine и Rh-допированного MoTe₂; в орбитальные DOS связывающих Rh и Te. Ферми-уровень = 0.

Конфигурации газоадсорбции на Rh-MoTe₂

На основе релаксированной структуры Rh-MoTe₂ смоделирована адсорбция SO₂, SOF₂ и SO₂F₂ вокруг центра Rh. Геометрия газовых молекул предварительно оптимизирована (доп. файл 1: рис. S1). Энергия адсорбции (Ead) определяет наиболее стабильную конфигурацию:

Ead = ERh-MoTe₂/gas − ERh-MoTe₂ − Egas (2)

где ERh-MoTe₂/gas и ERh-MoTe₂ — полные энергии системы до и после адсорбции, Egas — энергия изолированной молекулы.

Для анализа зарядопереноса рассчитана EDD для каждой конфигурации. Детальная информация для SO₂, SOF₂, SO₂F₂ — на рис. 3, 4, 5 соответственно. Параметры адсорбции (Ead, зарядоперенос QT, длины связей D) приведены в таблице 1.

MSC (а) и EDD (б) системы Rh-MoTe₂/SO₂. Изоповерхность 0,005 e/ų.

То же для системы Rh-MoTe₂/SOF₂.

То же для системы Rh-MoTe₂/SO₂F₂.

Адсорбция SO₂: Молекула SO₂ ориентирована параллельно слою MoTe₂, один атом O и один S связаны с Rh. Новые связи Rh-O и Rh-S имеют длины 2,16 и 2,36 Å, что свидетельствует о сильной связующей силе. Ead = −1,65 эВ подтверждает хемосорбцию. QT = −0,333 e — SO₂ ведет себя как акцептор электронов. После адсорбции Rh заряжен отрицательно на 0,017 e (предоставляет 0,028 e SO₂, остальное 0,305 e — от MoTe₂). По сравнению с системой MoTe₂/SO₂ (Ead = −0,245 эВ; QT = −0,086 e; D = 3,44 Å [14]), Rh-допирование резко усиливает реакционную способность и перераспределение заряда. Связи S-O в SO₂ удлиняются до 1,50 и 1,58 Å (в газовой фазе 1,48 Å), три связи Rh-Te в Rh-MoTe₂ удлиняются до 2,58, 2,58 и 2,64 Å. Эти деформации подтверждают геометрическую активацию и сильную хемосорбцию. EDD показывает накопление электронов вокруг SO₂ и в зонах связей Rh-S, Rh-O.

Адсорбция SOF₂: Молекула SOF₂ подходит к Rh концом O, плоскость S и двух F почти параллельна MoTe₂. Очевидных доказательств образования новых связей нет. Расстояние Rh-O = 2,25 Å (немного больше, чем в системе SO₂), геометрия SOF₂ слабо деформируется. Это указывает на более слабую адсорбцию по сравнению с SO₂. Ead = −0,46 эВ подтверждает физисорбцию [39]. QT = +0,040 e — SOF₂ является донором. EDD показывает накопление электронов между SOF₂ и Rh (некоторая гибридизация) и истощение на молекуле SOF₂.

Адсорбция SO₂F₂: После оптимизации SO₂F₂ расщепляется на атом F и группу SO₂F. Оба захвачены Rh, образуя связи Rh-F (2,02 Å) и Rh-S (2,26 Å). Новые связи и Ead = −2,12 эВ подтверждают хемосорбцию, аналогично SO₂. EDD показывает значительное накопление электронов на SO₂F₂ (согласуется с QT = −0,753 e). Большое истощение электронов локализовано на Rh и частично на MoTe₂. Rh вносит основной вклад в зарядоперенос, демонстрируя высокую подвижность электронов и химическую реакционность [40]. Перекрытие накопления и истощения на связях Rh-S и Rh-F указывает на гибридизацию при их формировании.

Заключение: Rh-MoTe₂ демонстрирует наилучшую эффективность по отношению к SO₂F₂, затем SO₂, наименее — SOF₂. Rh-допант существенно перераспределяет электронную плотность, меняя электронное поведение системы.

Электронное поведение Rh-MoTe₂ при газоадсорбции

На рис. 6 представлены BS и DOS трех адсорбционных систем. Для SO₂F₂ (рис. 6c2) молекулярный DOS сильно деформирован, интегрально смещен влево, часть состояний объединяется в крупный пик ниже ферми-уровня. Орбитальный DOS (рис. 6c3) показывает сильную гибридизацию Rh 4d с F 2p и более слабую — с S 3p, что предполагает большую силу связи Rh-F по сравнению с Rh-S. Для SO₂ (рис. 6a3) Rh 4d сильно гибридизировано с O 2p, затем с S 3p — Rh сильнее связывается с O. Молекулярный DOS SO₂ сильно деформирован (рис. 6a2). Для SOF₂ (рис. 6b3) Rh практически не гибридизируется с ближайшим O, подтверждая слабое взаимодействие.

BS и DOS систем: (a1)–(a3) SO₂; (b1)–(b3) SOF₂; (c1)–(c3) SO₂F₂. Пунктирная линия — ферми-уровень.

Вследствие изменений орбитального и молекулярного DOS, общая электронная структура адсорбционных систем меняется по сравнению с изолированным Rh-MoTe₂. На рис. 6(a1)–(c1) BS адсорбционных систем: для SOF₂ значимых изменений нет, для SO₂ и SO₂F₂ появляются новые состояния у ферми-уровня, сужающие запрещенную зону. Запрещенная зона Rh-MoTe₂ после адсорбции: SO₂ — 0,863 эВ, SOF₂ — 0,913 эВ, SO₂F₂ — 0,675 эВ. Это базовый механизм для резистивного газового датчика.

Анализ граничных молекулярных орбиталей

Для подтверждения результатов BS выполнен анализ граничных молекулярных орбиталей (FMO) — HOMO и LUMO — изолированного и газонасыщенного Rh-MoTe₂. Энергетический зазор между HOMO и LUMO оценивает электрическую проводимость [41]. Смеаринг установлен 10⁻⁴ Å для точности. Распределения и энергии FMO показаны на рис. 7.

Распределения и энергии FMO: а Rh-MoTe₂, б SO₂, в SOF₂, г SO₂F₂.

На рис. 7а HOMO и LUMO локализованы преимущественно на Rh, указывая на его высокую реакционную способность. Энергии HOMO и LUMO: −4,885 и −3,927 эВ, зазор = 0,958 эВ. После адсорбции трех газов (рис. 7б–г) распределения FMO деформируются в разной степени. Энергии FMO снижаются, наиболее сильно для SOF₂. Однако энергетический зазор в системе SOF₂ меняется меньше всего: зазор Rh-MoTe₂ (0,958 эВ) уменьшается на 0,044 эВ после адсорбции SOF₂, на 0,061 эВ — SO₂, на 0,281 эВ — SO₂F₂. Это означает, что электрическая проводимость Rh-MoTe₂ снижается при адсорбции всех трех газов, наиболее сильно — для SO₂F₂, что согласуется с анализом BS. Энергетические зазоры по FMO близки к полосам из BS, подтверждая точность расчетов.

Сенсорный отклик и восстановительные свойства

Изменение запрещенной зоны после газоадсорбции отражает изменение электрической проводимости в газовой атмосфере [42], давая механизм для резистивного датчика. Большее изменение проводимости соответствует более высокой чувствительности. Проводимость (σ) и чувствительность (S) рассчитаны по формулам [43, 44]:

σ = A·exp(−Bg/2kT) (3)

S = (σpure − σgas)/σgas (4)

где A — константа, Bg — запрещенная зона, k — постоянная Больцмана, T — рабочая температура. σgas и σpure — проводимости системы с газом и изолированного Rh-MoTe₂. Чувствительность определяется только по полосам до и после адсорбции. При 298 K чувствительности Rh-MoTe₂ к SO₂, SOF₂, SO₂F₂ составляют 76,3%, 37,3% и 99,4% соответственно. Наилучшее сенсорное поведение — для SO₂F₂, затем SO₂, наименее — SOF₂. Порядок согласуется с анализом адсорбционных параметров и электронного поведения. Rh-MoTe₂ может чувствительно детектировать SO₂ и SO₂F₂ при комнатной температуре.

Восстановительное свойство важно для оценки повторного использования датчика. Время восстановления (τ) связано с температурой: τ = A⁻¹exp(−Ea/kBT) [45]. A = 10¹² с⁻¹ [46], Ea = Ead, kB = 8,318×10⁻³ кДж/(моль·К).

На рис. 8 показано восстановление при 298, 448 и 598 К. Десорбция SO₂F₂ и SO₂ при комнатной температуре крайне затруднена, для SOF₂ время восстановления очень мало из-за слабого связывания. При нагреве время десорбции SO₂F₂ и SO₂ резко уменьшается: при 598 К для SO₂ τ = 79,48 с (позволяет повторное использование за минуты). Это подтверждает потенциал Rh-MoTe₂ как многоразового датчика SO₂. Длинное время десорбции SO₂F₂ при 598 К (7,24×10⁵ с) отражает сильную хемосорбцию. Дальнейшее повышение температуры снижает τ, но создает проблемы термостабильности и энергопотребления. Следовательно, Rh-MoTe₂ не подходит как датчик SOF₂, но перспективен как газоадсорбент для скандирования SO₂F₂ в изоляционных устройствах на SF₆, обеспечивая их безопасную работу. Анализ также показывает нецелесообразность использования Rh-MoTe₂ как датчика SO₂F₂ из-за слишком сильного взаимодействия.

Время восстановления Rh-MoTe₂ при различных температурах.

Оптическое поведение Rh-MoTe₂ при газоадсорбции

Учитывая желательные оптические свойства MoTe₂, рассчитана диэлектрическая функция Rh-MoTe₂ при газоадсорбции (рис. 9) для оценки потенциала как оптического газового датчика.

Диэлектрическая функция монослоя Rh-MoTe₂.

На рис. 9 для изолированного Rh-MoTe₂ три основных пика адсорбции: 148, 389 и 1242 нм. Первые два в ультрафиолете, последний — в инфракрасном. После газоадсорбции пики в УФ мало деформируются, а пик в ИК (1242 нм) — значительно. Интенсивность на 1242 нм падает после адсорбции SOF₂, растет после SO₂ и SO₂F₂, для SOF₂ наблюдается голубой сдвиг. Следовательно, Rh-MoTe₂ — перспективный оптический датчик для селективного обнаружения трех газов ИК-устройством.

Кратко: работа представляет прогрессивное исследование для предложения новых наноматериалов детектирования продуктов распада SF₆ разными методами, что значимо для эффективной оценки изоляционных устройств на SF₆.

Заключение

Исследован потенциал Rh-MoTe₂ как газового датчика для продуктов распада SF₆ в двух аспектах: (1) допирование Rh на pristine MoTe₂ и (2) адсорбция и сенсирование Rh-MoTe₂ по отношению к SO₂, SOF₂, SO₂F₂. Rh предпочитает сайт TMo с Eb = −2,69 эВ, проявляя сильную электронную гибридизацию с Te. Порядок адсорбционной эффективности: SO₂F₂ > SO₂ > SOF₂. Хемосорбция для SO₂F₂ и SO₂, физисорбция для SOF₂, подтверждается DOS-анализом. Rh-MoTe₂ — перспективный резистивный датчик для повторного обнаружения SO₂ (отклик 76,3%), желательный адсорбент для удаления SO₂F₂ из изоляционных устройств на SF₆, и перспективный оптический датчик для селективного детектирования трех газов. В целом, Rh-MoTe₂ — потенциальный сенсорный материал для продуктов распада SF₆. Работа значима для предложения новых наносенсорных материалов и эффективной оценки изоляционных устройств на SF₆.

Методы

Работа направлена на изучение новых 2D-сенсорных материалов методом первых начал для применения в электротехнике через детектирование продуктов распада SF₆ для оценки состояния высоковольтных изоляционных устройств.

Доступность данных и материалов

Данные в настоящее время не могут быть предоставлены, так как они все еще используются в наших дальнейших исследованиях.

Аббревиатуры

TMDs:
Дихалкогениды переходных металлов
TM:
Переходные металлы
CVD:
Химическое осаждение из паровой фазы
PBE:
Пердев-Бёрк-Эрнцергоф
GGA:
Обобщенное градиентное приближение
DNP:
Двойной числовой поляризованный базис
QRh:
Атомный заряд допанта Rh
QT:
Молекулярный заряд адсорбированных молекул
Eb:
Энергия связи
MSC:
Наиболее стабильная конфигурация
EDD:
Плотность деформации электронов
BS:
Зонная структура
DOS:
Плотность состояний
Ead:
Энергия адсорбции
D:
Длина связи
FMO:
Граничные молекулярные орбитали
HOMO:
Наивысшая занятая молекулярная орбиталь
LUMO:
Наименее занятая молекулярная орбиталь

Наноматериалы

  1. Future Electronics представляет Arduino-совместимую платформу быстрой разработки тепловизирования и IR-сенсинга
  2. AD5940: Ультра-низкоэнергетический двухконтурный импедансный и электрохимический фронт-энд для передовых био-с…
  3. Проектирование умных замков и сенсоров: экспертные стратегии защиты цепей и сенсирования для безопасных умн…
  4. Нановолоконные и филаментные наноносители: продвижение точечной доставки лекарств
  5. Наночастицы в раковой терапии: достижения, механизмы и клиническая трансляция
  6. Флуоресцентные наноматериалы: достижения, синтез и биомедицинские применения
  7. Композиты графен-полимер для высокопроизводительных суперконденсаторов: всеобъемлющий обзор
  8. Корректировки магических формул чисел для кубически-объемно-центрированных нанокластеров и новые данные ус…
  9. Ambarella, Lumentum и ON Semiconductor презентуют ИИ-решения 3D-сенсинга для AIoT нового поколения
  10. Кембриджские ученые создали дешевые самовосстанавливающиеся датчики для передовых роботов