Динамика и наклон доменных стенок под действием спин-орбитального момента в перпендикулярно намагниченных Pt/Co/Ta траках
Аннотация
Мы исследуем, как вставка углеродного промежуточного слоя влияет на Дзялошинского-Мория взаимодействие (DMI), скорость доменной стенки (DW), индуцированную током, и наклон в Pt/Co/Ta траках. Магнито-оптическая Керровская микроскопия раскрывает, что сила DMI доминирует на интерфейсе Pt/Co, оставаясь похожей для Pt/Co/Ta и Pt/Co/C/Ta стеков. В Pt/Co/Ta DW достигают десятков м/с при плотностях тока нескольких МА/см2, в то время как Pt/Co/C/Ta требует примерно вдвое большего тока для достижения сравнимых скоростей, подчеркивая влияние эффективности спин-орбитального момента (SOT) и барьеров закрепления. По сравнению с полевым движением DW (FIDWM), скорость DW при идентичных эффективных полях в ~103 раз больше в токо-драйвенных экспериментах, указывая на значительный вклад Джоулевого нагрева. Кроме того, мы наблюдаем выраженное токо-индуцированное наклонение DW, отсутствующее в FIDWM, подчеркивающее роль Эрстедовского поля. Эти результаты дают инсайты для проектирования эффективных растрековых память на базе SOT.
Введение
Токо-индуцированное движение магнитных доменных стенок (CIDWM) является ключевым механизмом для растрековых память следующего поколения. Ранние исследования фокусировались на ферромагнетиках (FM) с в-плоскостной анизотропией, где спин-трансферный момент (STT) двигал DW. Позже CIDWM был продемонстрирован в системах с перпендикулярной магнитной анизотропией (PMA), однако направление распространения DW иногда противоречило предсказаниям STT. В билиаях тяжелый металл (HM)/FM спин-орбитальные моменты (SOT), генерируемые спин-холловым эффектом (SHE) и/или Рашба-эффектом, вместе с интерфейсным DMI, производят хиральные DW, движущиеся по направлению тока. Повышение эффективности CIDWM поэтому требует HM слоев с большими спин-холловыми углами (θSH) и тщательной инженерии интерфейсных свойств. Различные стратегии — настройка толщины, декорирование интерфейса, контроль кристалличности и включение кислорода — применялись для максимизации θSH и эффективной SOT эффективности. HM/FM/HM трислои, где два HM слоя вносят вклады с противоположными знаками θSH, могут дополнительно усилить чистый момент. Сила DMI в таких структурах также модифицируется, влияя на скорость DW и поведение наклона. Недавние модели предсказывают, что DMI и ландшафт закрепления определяют степень наклона DW под током.
В предыдущей работе мы изучали эффект вставки тонкого углеродного (C) слоя между Co и Ta в Pt/Co/Ta стеках, наблюдая изменения в анизотропии, полях переключения и эффективных полях SOT. Здесь мы расширяем то исследование для анализа токо-драйвенного движения DW и наклона, количественно определяя, как вставка C влияет на DMI, потенциал закрепления и SOT эффективность в микронных Pt/Co/Ta траках.
Методы
Две пленочные структуры — Ta(3 нм)/Pt(5 нм)/Co(0,6 нм)/Ta(5 нм) и Ta(3 нм)/Pt(5 нм)/Co(0,6 нм)/C(2 нм)/Ta(5 нм) — осаждали на Corning стекле при комнатной температуре DC магнетронным спуттерингом (базовое давление < 4,0 × 10−5 Па). Нижний Ta служит как сид-слой, в то время как верхний Ta формирует ~1,5 нм TaOx капсу после воздействия воздуха. Пленки структурировали в 8,5 мкм и 3,0 мкм широкие траки соответственно, используя стандартную литографию и Ar-ионную травлю. Холловы сойки идентичной ширины изготавливали для измерения внеплоскостного поля (Hz)-зависимого аномального Холлового сопротивления (RHall) под различными в-плоскостными смещающими полями (Hx) вдоль направления тока. Извлекая сдвиг циклов RHall-Hz (HSHE), мы количественно определяли SOT эффективность χ = HSHE/J. Полярный Керровский микроскоп мониторил движение DW под приложенными полями или токо-импульсами при комнатной температуре.
Результаты и обсуждение
Используя хиральную модель DW Нееля, мы сначала определили DMI и SOT параметры из аномальных Холловых измерений. Эффективные DMI поля (HDMI) для Pt/Co/Ta и Pt/Co/C/Ta составляли ~1370 Ое и ~1055 Ое соответственно, тогда как насыщенные SOT эффективности χsat были 10,0 Ое/(106 А/см2) и 8,3 Ое/(106 А/см2). Небольшое снижение χsat для C-декорированного стека вероятно отражает увеличенное интерфейсное спин-флип рассеяние. Вычисленные DMI обменные константы |D| составляли 1,01 ± 0,16 мДж/м2 (Pt/Co/Ta) и 1,15 ± 0,14 мДж/м2 (Pt/Co/C/Ta), указывая, что интерфейс Pt/Co доминирует DMI в обоих стеках. Поскольку HDMI/HK < 2/π, Неелевский характер DW стабилен, как подтверждается CIDWM экспериментами.
Полевые скорости DW измеряли под внеплоскостными магнитными импульсами. Оба стека демонстрировали крипоподобную зависимость v ∝ exp[−(Uc/kBT)(Hdep/H)1/4]. Поле закрепления Hdep было примерно в два раза больше для Pt/Co/Ta в C-декорированном стеке, и параметр наклона s был больше (37,4 Ое1/4 против 76,5 Ое1/4), подтверждая более высокий потенциал закрепления. Доменные изображения показывали более неправильные формы DW в Pt/Co/C/Ta, согласующиеся с неоднородным ландшафтом закрепления.
Токо-драйвенное движение DW затем изучали. Скорости DW росли с плотностью тока, но достижение той же скорости в Pt/Co/C/Ta требовало примерно вдвое большей плотности тока, отражая сниженную SOT эффективность и усиленное закрепление. Заметно, что CIDWM скорость была ~103 раз больше, чем движению при эквивалентном магнитном поле, подчеркивая влияние Джоулева нагрева и возможно Эрстедовского поля. При высоких токах (± 19,2 МА/см2) мы наблюдали сниженные скорости, увеличенные места нуклеации и измененное наклонение DW, предполагая термически активированные процессы и перестроенный ландшафт закрепления.
Наклонение DW возникало только под токо-драйвом. Угол наклона ψ рос примерно линейно с плотностью тока для обоих стеков, в согласии с недавними теоретическими предсказаниями. Полевые эксперименты не показывали наклонения, подразумевая, что Эрстедовское поле — генерируемое током — играет решающую роль. Вычисленные Эрстедовские поля (~19,6 Ое для Pt/Co/Ta и ~37,4 Ое для Pt/Co/C/Ta при максимальном токе) сравнимы с HSHE, и поскольку оба поля действуют в одном направлении в определенных позициях вдоль траки, DW испытывает неоднородное эффективное поле, производя наблюдаемые трапецеидальные формы доменов. В-плоскостные смещающие поля (Hx, Hy) модифицируют хиральность DW и относительную силу HSHE и HOersted, дополнительно влияя на наклонение и расширение домена.
Заключение
Мы продемонстрировали, что и движение DW, и наклон сильно влияются SOT эффективностью, потенциалом закрепления, Джоулевым нагревом и Эрстедовским полем в Pt/Co/Ta и Pt/Co/C/Ta траках. Сила DMI (~1 мДж/м2) доминирует на интерфейсе Pt/Co, в то время как вставка C умеренно снижает SOT эффективность и увеличивает закрепление. Токо-драйвенные скорости DW достигают десятков м/с при нескольких МА/см2, но наличие значимого Эрстедовского поля может искажать формы доменов, что может ограничить практические дизайны растрековой памяти на базе SOT. Эти инсайты направляют инженерию SOT-основанных траков с оптимизированной DW динамикой.
Аббревиатуры
- CIDWM:
- Токо-индуцированное движение доменной стенки
- DMI:
- Дзялошинского-Мория взаимодействие
- D-U:
- Down-to-up
- DW:
- Доменная стенка
- FIDWM:
- Полево-индуцированное движение доменной стенки
- FMs:
- Ферромагнетики
- HM:
- Тяжелый металл
- PMA:
- Перпендикулярная магнитная анизотропия
- SOT:
- Спин-орбитальный момент
- STT:
- Спин-трансферный момент
- U-D:
- Up-to-down
Наноматериалы
- Датчики движения, позиции и приближенности: ключевые различия и практические применения
- Лазерные диоды: основа чутвения движения и LiDAR технологий
- Успех IoT требует доменного фокуса и готовых к развертыванию решений
- Снижение шума и вибрации в системах с шаговыми двигателями с QuietStep от Allegro
- Ученые успешно синтезировали и визуализировали Цикло[18]углерод
- Графеновые динамики и наушники: ультра-низкое потребление, высокое качество звука
- Нановолоконные и филаментные наноносители: продвижение точечной доставки лекарств
- Интеграция безопасности в системы управления движением: повышение производительности без компромиссов
- Связывание систем управления: доверенные коммуникационные интерфейсы для датчиков позиции и движения
- Вебинар: как интеллектуальный контроль движения повышает гибкость, продуктивность и устойчивость в умном пр…