Управление морфологией GaN на Si(111) путем предварительного осаждения Al и отношения Ga/N в МЛЭ
Аннотация
Подбирая отношение Ga/N и вводя кратковременное предварительное осаждение Al, достигли точного контроля режимов роста GaN — наноколонн, наностенок и компактных пленок — на Si(111) методом плазменно-ассистированной молекулярно-лучевой эпитаксии (PA-MBE). Наноколонны GaN формировались при избытке азота на чистом Si, тогда как повышение потока Ga давало плотную компактную пленку. Удивительно, но 40-секундное предварительное осаждение Al перед ростом GaN давало непрерывную вплоскостную сеть наностенок. Атомно-силовая микроскопия показала, что Al образует капли ~80 нм (~6,7 нм высотой). Предлагаемая модель роста: GaN нуклеирует на голом Si, но рост подавляется над каплями Al, что приводит к формированию характерной сети. Этот подход устраняет препятствия в наноэлектронном производстве и демонстрирует масштабируемый путь к высококачественным наноструктурам GaN на кремнии.
Наноматериалы
- Освоение побитовых и сдвиговых операторов в C#: полное руководство
- Освоение структур в C: передача, возврат и работа по ссылке
- От спортивной славы к фабричной превосходству: как командная химия топлит Индустрию 4.0
- GaN усилители мощности: драйвинг Sub-6 GHz 5G Massive MIMO за пределами LDMOS
- GaN усилители: питание 5G и путь к 6G
- IoT и блокчейн: смена парадигмы в доверии к данным и эффективности
- Структуры против объединений в C: практическое руководство
- Комплексный атомный и электронный анализ стакановидных углеродных нановолокон
- Легирование каолинитного наноглины переходными металлами: структурные и электронные инсайты из DFT
- Инфракрасно-рефлексионный анализ Si-легированных эпитаксиальных слоев GaN, выросших на сапфировых подложках