ATP Electronics обеспечивает поставку DDR3 собственными 8-Гб модулями на фоне перехода на DDR4

ATP Electronics объявила о своем обязательстве предоставлять собственные высокоплотные DDR3 8-Гб компоненты, обеспечивая надежную поставку DDR3 памяти для сетевых и встраиваемых систем, которые еще не могут перейти на новые платформы.

Контекст рынка

С отраслью, быстро движущейся к DDR4, несколько ведущих производителей уже объявили конец жизни (EOL) для DDR3 модулей, полагающихся на 8-Гб чипы, и выпустили EOL уведомления для базовых компонентов.

Собственные модули ATP

Проприетарные DDR3 модули ATP построены из строго охарактеризованных и протестированных 8-Гб IC. Произведенные по точным стандартам ATP с использованием 2-нм процессной технологии, каждый чип проходит обширную тестовую программу, улучшающую общую производительность модуля.

Защита от Rowhammer

Спроектированные быть свободными от уязвимостей row-hammer, DDR3 компоненты ATP устраняют риск случайных битовых сбоев, вызванных утечкой заряда. На уровне модуля, 100% тест при обжиге (TDBI) интегрирован в производство для гарантии высшего качества.

Доступные конфигурации

Доступные в монохромных 1-chip-select (1CS) и dual-chip-select (2CS) конфигурациях, ATP предлагает ряд модулей памяти:

• 1CS DIMM, SO-DIMM и Mini-DIMM на 16 ГБ и 1600 MT/s.
• 2CS DIMM от 16 ГБ до 32 ГБ на 1333 MT/s или 1600 MT/s.
• 2CS Mini-DIMM на 8 ГБ и 1600 MT/s.
• ECC и non-ECC опции по всем форм-факторам.

ATP остается полностью преданной поддержке требований наследием памяти. В сентябре 2018 года ATP подписала партнерское соглашение с Micron Technology для обеспечения продолжающейся доступности Micron DDR2 SO-DIMM, UDIMM и RDIMM после EOL объявлений Micron. Под соглашением ATP производит DDR2 DRAM модули для клиентов, которые все еще полагаются на платформы, поддерживающие эти типы памяти.