Промышленное производство
Промышленный Интернет вещей | Промышленные материалы | Техническое обслуживание и ремонт оборудования | Промышленное программирование |
home  MfgRobots >> Промышленное производство >  >> Industrial materials >> Наноматериалы

Температурная зависимость спин-расщепленных пиков при поперечной фокусировке электронов

Аннотация

Приведены экспериментальные результаты измерений поперечной фокусировки электронов, выполненных с использованием GaAs n-типа. При наличии небольшого поперечного магнитного поля (B ) электроны фокусируются от инжектора к детектору, что приводит к периодическим пикам фокусировки в B . Мы показываем, что пики с нечетной фокусировкой демонстрируют расщепление, где каждый подпик представляет собой совокупность определенной спиновой ветви, исходящей от инжектора. Температурная зависимость показывает, что расщепление пика хорошо определяется при низкой температуре, тогда как оно размывается при высокой температуре, указывая на то, что спиновая поляризация, вызванная обменом, в инжекторе преобладает при низких температурах.

Фон

Электронный транспорт через квазиодномерную (1D) систему, реализованную с использованием двумерного электронного газа (2DEG), сформированного на границе раздела гетероструктуры GaAs / AlGaAs, широко изучался. Одномерная система обеспечивает отличную платформу для рассмотрения не только невзаимодействующей квантово-механической системы, в которой квантование проводимости [1–3] выражается в единицах \ (n \ times \ frac {2e ^ {2}} {h} \ ), где n =1,2,3 ... - это разные одномерные энергетические подпочвы, но также место для изучения физики многих тел [4–9]. В последнее время прогресс в физике одномерных систем многих тел получил импульс благодаря предсказанию и экспериментальной демонстрации богатых фаз в одномерных системах с низкой плотностью, ведущих к зарождающейся вигнеровской кристаллизации [6, 7, 10]. Более того, вопрос о происхождении аномалии проводимости 0,7 в рамках многочастичной одномерной системы до сих пор остается дискуссионным [11–15]. Аномалия 0,7 имеет две основные особенности:во-первых, в присутствии магнитного поля в плоскости, аномалия 0,7 превращается в плато \ (0,5 \ times \ frac {2e ^ {2}} {h} \), что указывает на нее. связано со спином [4]; во-вторых, аномалия 0,7 ослабляется (усиливается) при понижении (повышении) температуры [4]. Эти замечательные наблюдения привели к ряду теоретических и экспериментальных попыток исследовать собственную спиновую поляризацию, связанную с аномалией 0,7; однако единого мнения о происхождении этой аномалии как такового нет [11–15]. Поэтому, чтобы пролить больше света на аномалию 0,7, важно выполнить прямое измерение спиновой поляризации в одномерном канале.

Схема, основанная на поперечной фокусировке электронов (TEF), была предложена для решения проблемы спиновой поляризации [16,17] и была проверена в GaAs p-типа [18,19] и InSb n-типа [20]. В рамках этой схемы спиновая поляризация, возникающая из-за обменного взаимодействия, может быть извлечена из асимметрии двух субпиков первого пика фокусировки. Недавно мы показали, что инжекция одномерных электронов, чьи спины были пространственно разделены, может быть обнаружена в виде расщепления в первом пике фокусировки, где два подпика представляют собой совокупность обнаруженных спиновых состояний [21]. В настоящей работе мы сообщаем о температурной зависимости первого пика фокусировки с расщепленным спином и анализируем результаты на основе спиновой щели между двумя видами спинов.

Метод

Устройства, исследованные в настоящей работе, были изготовлены из высокоподвижного двумерного электронного газа (2DEG), сформированного на границе раздела GaAs / Al 0,33 Га 0,67 Как гетероструктура. При 1,5 К измеренная плотность (подвижность) электронов составила 1,80 × 10 11 . см −2 (2,17 × 10 6 см 2 V -1 s −1 ), следовательно, длина свободного пробега больше 10 μ м, что намного больше длины распространения электронов. Эксперименты проводились в холодильнике с криосвободным разбавлением с температурой решетки 20 мК по стандартной методике блокировки. Диапазон измерения температурной зависимости от 20 мК до 1,8 К.

Результаты и обсуждение

На рис. 1а показана экспериментальная установка вместе с типичным спектром фокусировки, полученным с помощью устройства, показанного на вставке. Фокусирующее устройство специально спроектировано так, что инжектор и детектор можно управлять отдельно, чтобы избежать возможных перекрестных помех между ними [21–23]. Квантовая проволока, используемая для инжектора и детектора, имеет ширину (направление удержания) 500 нм и длину (направление потока тока) 800 нм. И инжектор, и детектор показывают четко определенные плато проводимости, как показано на рис. 1b. Более подробная информация об устройстве приведена в подписи к рис. 1.

Схема эксперимента и характеристика устройства. а Типичный график поперечной фокусировки электронов с инжектором и детектором, установленным на G 0 (2e 2 /час). V копия - падение напряжения на детекторе. Пики фокусировки хорошо видны при положительном магнитном поле, а сигнал незначителен при отрицательном магнитном поле. Первый пик показывает выраженное расщепление. Два субпика были выделены как пик I и пик II. На вставке показано изображение устройства, полученное с помощью SEM. Расстояние между инжектором и детектором составляет 1,5 μ м. Красные квадраты образуют омические контакты, тогда как две пары затворов серого цвета, левая и верхняя, образуют инжектор и детектор соответственно. Масштабная линейка - 2 μ м. б Электропроводные характеристики инжектора и детектора

При отрицательном магнитном поле измеренный сигнал почти равен нулю, потому что электроны изгибаются в противоположном направлении и, таким образом, не попадают в детектор. Также очевидно, что осцилляция Шубникова-де Гааза и квантовый эффект Холла не вносят вклад в наблюдение. При наличии небольшого положительного поперечного магнитного поля (B ) электроны фокусируются от инжектора к детектору, что приводит к периодическим пикам фокусировки в B в то время как обнаруженный сигнал незначителен в конце отрицательного магнитного поля. Расчетная периодичность 60 мТл с использованием соотношения [23],

$$ B_ {focus} =\ frac {\ sqrt {2} \ hbar k_ {F}} {eL} $$ (1)

хорошо согласуется с экспериментальным результатом. Здесь e - элементарный заряд, а \ (\ hbar \) - приведенная постоянная Планка, L - расстояние между инжектором и детектором (в геометрии фокусирующего устройства 90 ° это расстояние по диагонали). Помимо периодического пика фокусировки, который является проявлением полуклассической электронной циклотронной орбиты, интересно отметить расщепление пиков фокусировки с нечетными номерами. Предполагается, что это аномальное расщепление фокусирующих пиков с нечетными номерами является результатом спин-орбитального взаимодействия (SOI) [16,17] и успешно наблюдалось в дырочном газе GaAs [18,19] и электронном газе InSb [20]. Недавно мы продемонстрировали расщепление фокусирующих пиков с нечетными номерами в n-GaAs [21], где более длинная квантовая проволока, имеющая частично поляризованные и пространственно разделенные 1D-электроны, использовалась для инжекции поляризованных 1D-электронов в 2D-режим и впоследствии измерялась поперек детектора в форма расщепления в первом пике фокусировки. Здесь нас интересует тепловое влияние на спиновые состояния в одномерном канале посредством поперечной фокусировки электронов. Отметим, что расщепление размывается, когда тепловая энергия k B T превышает 2 Δ E ( Δ E - разность энергий между двумя спиновыми ветвями), что согласуется с теоретическим предсказанием [17].

Прежде чем обсуждать эффект температурной зависимости, важно понять механизм, ответственный за наблюдаемое расщепление пиков. На рис. 2 а, б показан профиль потенциала разделенных вентилей, образующих инжектор (нижняя пара) и детектор (левая пара). В присутствии КНИ две разновидности спина следуют разным циклотронным радиусам, как показано на рис. 2а, что приводит к появлению двух субпиков в первом пике фокусировки. Однако ситуация иная для второго пика фокусировки, где присутствует рассеяние на границе электростатического потенциала, создаваемого разделенными затворами, как показано на рис. 2b. В этом случае электрон со спином вверх (красная стрелка на цветных диаграммах) первоначально следует меньшему циклотронному радиусу, тогда как он обладает большим радиусом после рассеяния [16, 17] и наоборот для электрона со спином вниз (белая стрелка) , таким образом, две разновидности спина воссоединяются в детекторе. Нижеследующее объяснение расщепления пика можно найти в k-пространстве на рис. 2 c, d. Здесь мы предполагаем, что спин-орбитальное взаимодействие имеет тип Рашбы; тем не менее, анализ справедлив и для эффекта Дрессельхауза в целом. Для первого пика фокусировки (рис. 2 c) две разновидности спина перемещаются от (0, k y ) на (-k x , 0) вдоль различных поверхностей Ферми. Для второго пика фокусировки (рис. 2, г) то же самое рассуждение справедливо до рассеяния; однако импульс меняет знак, а ориентация спина сохраняется после рассеяния [16]. Следовательно, электрон со спином вверх (красные стрелки), первоначально занимающий внутреннюю поверхность Ферми, перескакивает на внешнюю поверхность Ферми после рассеяния, чтобы гарантировать, что и знак импульса, и ориентация спина находятся в правильном порядке (прыжки выделены толстая синяя стрелка на рис. 2 d) и наоборот для электрона со спином вниз. Циклотронный радиус пропорционален импульсу, поэтому изменение циклотронного радиуса происходит в координатном пространстве как следствие прыжков между двумя поверхностями Ферми, что приводит к единственному второму пику фокусировки.

Механизм расщепления пиков. а , b Расщепление пиков в координатном пространстве для первого и второго пиков фокусировки соответственно. Красные и белые стрелки обозначают электроны со вращением вверх и вниз, цветные блоки обозначают электростатический потенциал, а красный пунктирный след соответствует меньшему циклотронному радиусу, а желто-пунктирный - большему циклотронному радиусу. c , d Расщепление пиков в k-пространстве для первого и второго пиков фокусировки соответственно. Электроны движутся из точки (0, k y ) на (-k x , 0) против часовой стрелки на графике ( c ). На графике ( d ) толстой синей стрелкой отмечен переход после отражения на границе электростатического потенциала, образовавшегося между инжектором и детектором

На рис. 3 a – c показана температурная зависимость результатов фокусировки с инжектором, установленным на 0,5G 0 . , G 0 и 1,8 ГБ 0 соответственно, где температура решетки увеличивается с 20 мК (температура электронов откалибрована примерно на 70 мК) до 1,8 К, а на рис. 3 d – f показаны увеличенные данные на рис. 3 a – c. , соответственно. Для G i =0,5 ГБ 0 (Рис. 3, a) наблюдается единственный пик (поскольку занята только одна спиновая подзона), который постепенно расширяется при более высокой температуре. Кроме того, пик фокусировки смещается к центру спектра и становится более симметричным при более высокой температуре (см. Нижнюю кривую, T =1,8 К, рис.3 а, г). Это может быть связано с возможным переходом электрона между двумя спиновыми подзонами при относительно высокой температуре. Для сравнения, для G я = G 0 (Рис. 3b), субпики, каждый из которых представляет спиновое состояние, присутствуют от 20 мК до 1,2 К. Однако провал в первом пике фокусировки, приводящий к двум субпикам, размывается при 1,8 К ( Рис. 3 б, д). С G я установлен на 1,8 G 0 (Рис. 3 c), расщепление не разрешается хорошо, и левый подпик (I) доминирует в спектре. Отметим, что при повышении температуры амплитуда пика I постепенно уменьшалась, что приводило к асимметричному первому пику фокусировки при 1,8 К. В InSb n-типа расщепление было заметным даже при 10 К, что согласуется с тем фактом, что пик I расщепление составило около 60 мТл, что свидетельствует о сильном КНИ в InSb [20], что на порядок больше, чем пиковое расщепление 5,5 мТл, измеренное в данном случае.

Температурная зависимость ТЭФ. а - c Инжектор был установлен на 0,5 G 0 , G 0 и 1,8 ГБ 0 , соответственно. Температура решетки увеличивалась с 20 мК (верхняя кривая) до 1,8 К (нижняя кривая). Для ясности данные смещены по вертикали. г - е , увеличение данных в ( a ) - ( c )

Чтобы точно выделить ширину и амплитуду пика, учитывая, что два субпика могут частично перекрываться друг с другом, мы используем два лоренцевых пика для восстановления экспериментальных данных, как показано на рис. 4a, используя соотношение,

$$ A (B) =\ sum \ limits_ {i =1,2} A_ {i} \ times \ frac {\ gamma_ {i} ^ {2}} {\ gamma_ {i} ^ {2} + (B -B_ {i}) ^ {2}} $$ (2)

Анализ данных температурной зависимости. Графики вверху предназначены для G я = G 0 , нижние - для G я =1,8 G 0 . а Восстановление первого пика фокусировки с двумя пиками Лоренца при 20 мК. Сплошная синяя линия - экспериментальные данные, зеленый круглый маркер соответствует пику I, красный квадратный маркер соответствует пику II, а пурпурный ромбовидный маркер выделяет восстановленный пик фокусировки. б FHWM, γ как функция температуры:субпики расширяются с повышением температуры в обоих случаях. Маркеры обозначают то же значение, что и на графике ( a ). c Поляризация измерена с G я = G 0 колеблется в районе 0,6 % . С другой стороны, поляризация, измеренная с помощью G я =1,8 G 0 следует экспоненциальному спаду

где A i это амплитуда пика i ( я =1, 2 для пика I и пика II соответственно), γ я обозначает полную ширину на полувысоте (FWHM), а B я это центр пика. Из подгонки можно извлечь два заметных результата:во-первых, из рис. 4b видно, что γ (см. подпись к рис. 4 для получения подробной информации о графиках и символах, представляющих пик I и пик II) как для пика I, так и для пика II увеличивается с повышением температуры независимо от проводимости инжектора, которая указывает на тепловое расширение субпиков, что препятствует наблюдению расщепление пика при высокой температуре. Можно отметить, что пик I для G я =1,8 G 0 относительно устойчив к температуре по сравнению с другими пиками (оба пика G 0 и пик II 1,8 G 0 ). Во-вторых, измеренная спиновая поляризация p \ (\ left (p =\ left | \ frac {A_ {1} -A_ {2}} {A1 + A_ {2}} \ right | \ right) \) с G я = G 0 колеблется в районе 0,6 % и не показывает явной температурной зависимости, что согласуется с тем фактом, что спиновая поляризация на плато проводимости должна оставаться равной 0 независимо от температуры (рис. 4c, верхний график). С другой стороны, когда G я установлено 1,8 G 0 извлеченная спиновая поляризация спадает с 5 до 0,8 % (Рис. 4d, нижний график) в соответствии с соотношением [15],

$$ p =\ alpha exp \ left (- \ frac {k_ {B} T} {\ Delta E} \ right) + c $$ (3)

где α является префактором, учитывающим амплитуду, k B - постоянная Больцмана, Δ E это разность энергий между двумя спиновыми ветвями и c учитывает небольшую остаточную стоимость, возникающую из-за неопределенности эксперимента. Мы извлекли значение Δ E быть около 0,041 мэВ (соответствует 0,5 К). Теория [17] предсказывает, что расщепление должно продолжаться до k B Т превышает 2 Δ E (т.е. 1 К в нашем случае), что достаточно хорошо согласуется с нашим результатом о том, что расщепление пиков наблюдается до 1,2 К.

Заключение

В заключение мы показали температурную зависимость поперечной фокусировки электронов, где вклад двух спиновых состояний проявляется в виде двух субпиков в первом пике фокусировки. Было замечено, что расщепление пиков хорошо определено от 20 мК до 1,2 К, а за пределами этой температуры расщепление пиков размывается. Более того, пик фокусировки имеет тенденцию становиться более симметричным при более высокой температуре, что указывает на возможное равновесие между двумя спиновыми ветвями из-за теплового возбуждения.

Работа финансируется Исследовательским советом по инженерным и физическим наукам (EPSRC), Великобритания.


Наноматериалы

  1. Вентилятор с регулируемой температурой
  2. Датчик температуры Raspberry Pi
  3. Ученые IBM изобрели термометр для наномасштаба
  4. Таблица температур подшипников
  5. AuSi2 в твердом состоянии
  6. AuSn20
  7. AuGe12
  8. Рений
  9. Чистый тантал (Ta)
  10. Сандвик 7RE10