Нанопроволочные УФ-светодиоды с Al-оболочкой: в 5 раз ярче
NIST: новая архитектура n-области
Ядро: Si-допингированный GaN (избыток электронов). Оболочка: Mg-допингированный GaN (дырки) + малая примесь Al. Al создает асимметрию тока, блокирует переполнение электронов в оболочку, замыкает носители в ядре → 5× интенсивность vs обычная оболочка.
Структура p-i-n и параметры
- Трислойная структура для инъекции носителей.
- Нанопроволока: длина 440 нм, оболочка 40 нм. Полученные светодиоды ~10× больше.
- Чем толще проволока, тем больше Al можно внедрить.
Перспективы
Патент на интеграцию со сканирующей микроволновой микроскопией (бесконтактный тест наноструктур). Работа с двумя частными компаниями на микро-светодиоды. Будущее: более высокий Al для управления длиной волны/поляризацией в GaN-ядре.
Источник: NanoTechnology | doi:10.1088/1361-6528/ab07ed | NIST
Левитация и двигатель на свету: нанопаттерны на поверхности объекта
Когда нанолазер становится настоящим: формула когерентности от МФТИ
Промышленные технологии
- ams освещает Sensors Expo 2019 передовой демонстрацией оптических сенсоров
- Нанопроволочные УФ-светодиоды с Al-оболочкой: в 5 раз ярче
- Прорыв в химии OLED повышает яркость, контраст и долговечность экранов
- Шринкфляция: почему упаковки уменьшаются, а цены растут
- Стратегии преодоления расширенных лид-таймов компонентов
- Сократите время простоя на 65% с бесконтактными накладными
- Fox Chase Cancer Center и Rodon Group партнерятся для поставки передовых COVID-19 швабр для Temple Health
- SPRINT 20: линейный токарный автомат для высокоточной серийной обработки
- Революционный тактильный робототехнический палец достигает локализации касания <1 мм без слепых зон
- VDMA представляет комплексную дорожную карту аддитивного производства и Индустрии 4.0