Промышленное производство
Промышленный Интернет вещей | Промышленные материалы | Техническое обслуживание и ремонт оборудования | Промышленное программирование |
home  MfgRobots >> Промышленное производство >  >> Manufacturing Technology >> Промышленные технологии

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

В разделе об усилителе с общим эмиттером SPICE-моделирование выявило полуволновый выпрямленный выход: транзистор не оставался в активном режиме в течение половины входного цикла. Для сохранения полной формы волны было введено небольшое смещающее напряжение, удерживающее транзистор в активном режиме на протяжении всего цикла. Это смещение необходимо для многих классов усилителей.

В некоторых сценариях полуволновый выход является намеренным. Определенные приложения требуют конкретного класса работы — обозначаемого буквами A, B, C или AB — где усилитель воспроизводит только часть входной волны. Ниже приведен краткий обзор каждого класса.

Обзор классов усилителей

Класс А

В классе А транзистор проводит на протяжении всего входного цикла, никогда не достигая режимов запира или насыщения. Постоянное смещение устанавливает транзистор ровно посередине между запиранием и насыщением, центрируя AC-сигнал между верхним и нижним пределами усилителя. Это обеспечивает верную воспроизводимость входной волны.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Класс B

Усилители класса B первыми использовали конфигурацию с общим эмиттером без постоянного смещения. Транзистор проводит только половину цикла, давая полуволновый выход. Хотя одиночная ступень класса B редко полезна, толкательно-тянутая пара — два дополнительных транзистора — обрабатывает положительные и отрицательные полуволны раздельно. В совокупности они восстанавливают полную волну, предлагая более высокую выходную мощность и меньшую тепловыделение по сравнению с классом А.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Класс AB

Класс AB находится между классами А и B. Транзистор проводит более 50%, но менее 100% цикла, балансируя линейность и эффективность. Смещая базу немного отрицательно относительно класса А, транзистор проводит меньше времени в запире, но все же избегает сильных искажений чистого класса B.

Класс C

Работа класса C проводит менее половины цикла (<180°). Хотя выход сильно обрезан, связывание усилителя с резонансной контурной схемой (параллельный LC) позволяет «толчкам» усилителя поддерживать высокочастотные колебания. Эта конфигурация идеальна для фиксированной частоты RF-передатчиков, таких как FM-радио, где высокая энергетическая эффективность имеет первостепенное значение.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Класс D

Усилители класса D принципиально отличаются: выходной транзистор управляется только в режимах запира или насыщения, генерируя высокочастотную прямоугольную волну, скважность которой соответствует амплитуде входного сигнала. После низкочастотной фильтрации выход тесно приближается к исходной волне. Эта топология минимизирует тепловыделение и достигает очень высокой эффективности, что делает её распространенной в высокомощных аудио и промышленных инверторах.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Покойный ток и нагрузочные линии

Покойный ток — это постоянный ток, текущий при нулевом входе. В классе А он равен половине тока насыщения; классы B и C имеют нулевой покойный ток; класс AB — чуть выше запира. Нагрузочная линия — график коллекторно-эмиттерного напряжения против коллекторного тока — иллюстрирует рабочую точку транзистора для данного нагрузочного сопротивления. Для класса А покойная точка лежит в середине нагрузочной линии, обеспечивая линейную работу и избегая насыщения.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Практическое смещение с делителями напряжения

Использование отдельного батарейного элемента для обеспечения смещения непрактично, так как напряжение батареи дрейфует со временем. Вместо этого делитель напряжения через основное питание может генерировать необходимое смещение. Например, с питанием 15 В выбор R₂ = 8,466 кОм и R₃ = 1,533 кОм дает 2,3 В на R₃. Однако прямое подключение AC-входа через R₃ закоротчит смещающее напряжение. Разделительный конденсатор между источником сигнала и делителем блокирует DC, пропуская AC, обеспечивая правильное смещение.

Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей

Анализ суперпозиции показывает, что AC-компонента проходит через конденсатор к R₃, в то время как DC-делитель остается изолированным при смещении. Результирующее смещение составляет примерно 2,3 В DC плюс 1,5 В AC-сигнал, как и требуется.

SPICE-моделирование усилителя со смещением делителем:

voltage divider biasing
vinput 1 0 sin (0 1.5 2000 0 0)
c1 1 5 100u
r1 5 2 1k
r2 4 5 8466
r3 5 0 1533
q1 3 2 0 mod1
rspkr 3 4 8
v1 4 0 dc 15
.model mod1 npn
.tran 0.02m 0.78m
.plot tran v(1,0) i(v1)
.end

Первоначальное моделирование показывает искажения из-за нагрузки делителя напряжения базовым током транзистора. Корректировка R₂ и R₃ (например, R₂ = 6 кОм, R₃ = 4 кОм) восстанавливает 2,3 В смещение и устраняет искажения.

voltage divider biasing
vinput 1 0 sin (0 1.5 2000 0 0)
c1 1 5 100u
r1 5 2 1k
r2 4 5 6k <--- R2 уменьшен до 6 к
r3 5 0 4k <--- R3 увеличен до 4 к
q1 3 2 0 mod1
rspkr 3 4 8
v1 4 0 dc 15
.model mod1 npn
.tran 0.02m 0.78m
.plot tran v(1,0) i(v1)
.end

Ключевые выводы

Связанные рабочие листы

Промышленные технологии

  1. Использование транзистора как электрически управляемого ключа
  2. Чувствительный детектор статического электричества на JFET-транзисторе
  3. Сборка высококачественного аудиоусилителя класса B в схеме Push-Pull с ОУ TL082
  4. Экспертное руководство по методам смещения JFET: достижение стабильных, высокопроизводительных схем
  5. Экспертное руководство по методам смещения IGFET
  6. Наследование в C#: базовые и производные классы, интерфейсы
  7. Полиморфизм в C#: статический и динамический, перегрузка и переопределение
  8. Продвинутые методы рассеивания тепла для надёжной работы печатных плат
  9. Транзистор BC558: характеристики, распиновка и применение
  10. Металлообработка: техники и процессы подробно