Транзистор S8550: ключевые характеристики и применение
Что такое транзистор S8550?
S8550 — PNP-транзистор для усиления/генерации сигналов (DC/AC).
В обратном смещении (база не питается) — открыт (grounded state). В прямом смещении (сигнал на базе) — закрыт. При полном смещении: макс. ток коллектора 700 мА (режим насыщения). Снятие базового тока → отсечка (cut-off). Коэффициент усиления hFE = 300 — высокая усилительная способность. Класс B усилитель — для аудиовыходных каскадов.
Распиновка S8550
- Эмиттер: источник тока.
- База: управление ВКЛ/ВЫКЛ.
- Коллектор: ток к нагрузке на выходе.
Характеристики
Низковольтный, высокотоковый PNP. Push-pull усилители, коммутация.
- UCBO (коллектор-база): –40 В.
- UEBO (эмиттер-база): –5 В.
- UCEO (коллектор-эмиттер): –25 В.
- hFE: 85–300.
- Корпус: TO-92. Постоянный ток коллектора: 500 мА.
Аналоги S8550
- BC527
- S8050 (NPN-парный)
- 2N2906
- BC528
Применение
- Аудиоусилители (MP3 и др.).
- Выходные каскады: пищалки, электронные дверные звонки.
- Выходные стадии малых электронных проектов.
Заключение
S8550 — PNP-транзистор для цифровой электроники, AC/DC схем. Аудиоусилители, нагрузки до 700 мА. За вопросами — пишите!
Промышленные технологии
- Использование транзистора как электрически управляемого ключа
- Чувствительный детектор статического электричества на JFET-транзисторе
- Как идентифицировать и проверить биполярный транзистор (БТ) мультиметром
- Методы смещения BJT: классы А, В, АВ, С и D усилителей
- Точное смещение транзисторов: расчет резисторов для стабильной работы усилителя
- Точное мультиметровое тестирование JFET: проводимость и поведение при захвате
- Параметры и корпуса JFET — выбор правильного прибора
- Выбор правильных номиналов и корпусов для IGFET
- Транзисторы с изолированным затвором и биполярным режимом (IGBT): слияние точности полевого транзистора с мощн…
- Транзистор BC558: характеристики, распиновка и применение