Каскодный усилитель: объединение общий эмиттер и общая база для широкой полосы и высокого Zвх
Хотя усилитель с общей базой (ОБ) обеспечивает более широкую полосу пропускания, чем каскад с общим эмиттером (ОЭ), его входное сопротивление — десятки ом — ограничивает применимость. Типичным решением является предварительная ступень с низким усилением по схеме ОЭ, которая предоставляет более высокое входное сопротивление в диапазоне килом.
Ступени расположены в каскодной конфигурации, последовательно соединены, а не каскадированы как в обычной цепи усилителей.
В типичном конденсаторно-связанном трехступенчатом усилителе с общим эмиттером используется каскодная топология. Она обеспечивает и широкую полосу пропускания, и умеренно высокое входное сопротивление.

Каскодный усилитель объединяет каскад с общим эмиттером и каскад с общей базой. В AC-анализе источники питания и разделительные конденсаторы моделируются как короткие замыкания.
Полоса пропускания, емкость и эффект Миллера
Расширенная полоса пропускания каскода обусловлена эффектом Миллера. В каскаде ОЭ коллекторно-базовая емкость (Ccbo) умножается на величину коэффициента усиления по напряжению (Av). Хотя Ccbo меньше эмиттерно-базовой емкости, коллекторный узел находится в противофазе (180°) относительно базового входа. Обратная связь через Ccbo проявляется как (1 + |Av|) кратная физическая емкость, ограничивая высокочастотный отклик отдельного усилителя ОЭ.
Приближенное напряженное усиление каскада ОЭ на рисунке ниже равно Av = –RL/rEE. При эмиттерном токе 1,0 мА эмиттерное сопротивление rEE = 26 мВ/IE = 26 Ом. Таким образом, Av = –4700/26 ≈ –181. Даташит pn2222 указывает Ccbo = 8 пФ. Емкость Миллера составляет Cmiller = Ccbo(1–Av) = 8 пФ × (1–(–181)) ≈ 1456 пФ.
Конфигурация с общей базой не подвержена эффекту Миллера, поскольку заземленная база изолирует коллектор от обратной связи к эмиттерному входу. Следовательно, усилитель ОБ демонстрирует превосходную высокочастотную производительность. Для достижения умеренно высокого входного сопротивления с сохранением преимуществ каскада ОЭ, последнее смещают для низкого напряженного усиления около 1. Это снижает мультипликацию Миллера до 2 × Ccbo.
Ключ к снижению усиления ОЭ — уменьшение нагрузочного сопротивления. Напряженное усиление усилителя ОЭ примерно равно RC/RE. С внутренним эмиттерным сопротивлением rEE ≈ 26 Ом при 1 мА и коллекторной нагрузкой RC, равной эмиттеру каскада ОБ (26 Ом), усиление становится Av = RC/RE ≈ 1. Емкость Миллера тогда уменьшается до Cmiller = Ccbo(1–Av) = 8 пФ × (1–(–1)) = 16 пФ. Теперь у нас есть каскад ОЭ с умеренным входным сопротивлением, пренебрежимым эффектом Миллера и без значимого напряженного усиления. Последующий каскад ОБ обеспечивает высокое напряженное усиление (Av ≈ –181). Общий коэффициент усиления по току каскода равен β каскада ОЭ, давая надежный общий β.

SPICE: Сравнение каскодного и обычного усилителя с общим эмиттером.
Сравнение каскодного и обычного усилителя с общим эмиттером
Нижеприведенное SPICE-моделирование сравнивает каскодный усилитель со стандартным усилителем с общим эмиттером. AC-источник V3 управляет обеими ступенями через узел 4. Смещающие резисторы рассчитаны как в примере задачи.

SPICE-волны. Обратите внимание: входной сигнал умножен на 10 для наглядности.
SPICE-нетлист для вывода AC входных и выходных напряжений.
*SPICE circuit <03502.eps> from XCircuit v3.20 V1 19 0 10 Q1 13 15 0 q2n2222 R1 19 13 4.7k V2 16 0 1.5 C1 4 15 10n R2 15 16 80k Q3 A 5 0 q2n2222 V3 4 6 SIN(0 0.1 1k) ac 1 R3 1 2 80k R4 3 9 4.7k C2 2 0 10n C3 4 5 10n R5 5 6 80k V4 1 0 11.5 V5 9 0 20 V6 6 0 1.5 .model q2n2222 npn (is=19f bf=150 + vaf=100 ikf=0.18 ise=50p ne=2.5 br=7.5 + var=6.4 ikr=12m isc=8.7p nc=1.2 rb=50 + re=0.4 rc=0.3 cje=26p tf=0.5n + cjc=11p tr=7n xtb=1.5 kf=0.032f af=1) .tran 1u 5m .AC DEC 10 1k 100Meg .end
Волновые формы иллюстрируют поведение каскода. Входной сигнал показан увеличенным в десять раз для ясности. Оба выхода — каскода и обычного ОЭ — инвертированы относительно входа, и каскод достигает слегка более высокого среднеполосного усиления. На графиках частотных характеристик ниже изображены точки –3 дБ для каждого усилителя.
Примечание: Этот раздел может содержать неточности и требует пересмотра. Обратитесь к комментариям внизу страницы для получения дополнительных сведений.
На рисунке ниже показана частотная характеристика обоих усилителей. Команды SPICE, отвечающие за AC-анализ, извлечены из листинга:
V3 4 6 SIN(0 0.1 1k) ac 1 .AC DEC 10 1k 100Meg
Каскод демонстрирует незначительно лучшее среднеполосное усиление. По точкам –3 дБ каскод достигает примерно 5 МГц, в то время как обычный ОЭ ограничивается около 2 МГц. Таким образом, каскод обеспечивает более широкую полосу пропускания. Низкочастотный спад определяется разделительными конденсаторами и может быть сглажен увеличением их емкости. Для РЧ-приложений рекомендуется пара транзисторов с низкими межэлектродными емкостями для достижения еще более высокой полосы. Исторически BJT-каскодные усилители применялись в УВЧ-тюнерах телевизоров до появления двух затворных MOSFET.
Обзор
- Каскодный усилитель состоит из каскада с общим эмиттером, нагруженного эмиттером каскада с общей базой.
- Сильно нагруженный каскад ОЭ имеет низкое усиление (~1), что смягчает эффект Миллера.
- Каскодный усилитель обеспечивает высокое напряженное усиление, умеренное входное сопротивление, высокое выходное сопротивление и широкую полосу пропускания.
Связанные рабочие листы
- Рабочий лист по усилителям класса А на биполярных транзисторах
Промышленные технологии
- Проектирование высоковольтного многоступенчатого общеэмиттерного усилителя с отрицательной обратной связ…
- Интегральный таймер 555: вечный эталон в аналоговом проектировании
- Квадратное уравнение: надежный инструмент для решения уравнений второй степени
- Усилитель с общим истом на JFET: проектирование, анализ и практический рабочий лист
- Усилитель с общим стоком на JFET: основы, применение и рабочий лист
- Усилитель с общей базой на JFET: проектирование, работа и применения
- Усилитель с общим истом (IGFET): проектирование, смещение и производительность
- Усилитель с общим стоком (IGFET): проектирование, функция и применения
- Усилитель с общей базой IGFET: теория, проектирование и практические применения
- Бум ближнего аутсорсинга в Мексике: превращение ухода из Китая в производственное преимущество