ergFET: передовый твердотельный сенсор NASA для детектирования электрических полей и характеристики материалов

Научно-исследовательский центр NASA Langley разработал твердотельную интегральную схему на базе полевого транзистора (FET). Называемый ergFET, сенсор характеризует электронные свойства материалов, позволяя детектировать такие предметы, как багаж, проводка и жидкости, и даже может использоваться для медицинской визуализации, такой как удаленный ЭКГ.

Этот равновесие-инвертирующий затвор полевого транзистора (ergFET) развертывает электрод рядом с затвором транзистора для управления и инвертирования утеточных токов, типичных для транзисторов и приводящих к ошибкам измерения. Его можно построить в массив для обеспечения более высокого разрешения визуализации и является твердотельным устройством без движущихся частей. Это позволяет создавать переносные и ручные конструкции датчиков.

NASA активно ищет лицензиатов для коммерциализации этой технологии. Пожалуйста, свяжитесь с лицензиарным консьержем NASA по адресу This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it. или позвоните по телефону 202-358-7432 для начала лицензионных переговоров. Перейдите по этой ссылке для получения дополнительной информации .

Лабораторный чип NASA Goddard обеспечивает мониторинг потока и температуры в реальном времени Линзетная интегральная полевая спектрография: высокоразрешающая 2D спектральная визуализация

Датчик