Твердотельный датчик для обнаружения и определения характеристик электрических полей

Исследовательский центр НАСА в Лэнгли разработал твердотельную интегральную схему на основе полевого транзистора (FET). Датчик, получивший название ergFET, характеризует электронные свойства материалов, позволяя обнаруживать такие предметы, как багаж, проводку и жидкости, и даже может использоваться для медицинской визуализации, такой как удаленная ЭКГ.

В этом полевом транзисторе с равновесным реверсивным затвором (ergFET) электрод размещается рядом с затвором транзистора для контроля и реверсирования токов утечки, которые типичны для транзисторов и могут привести к ошибкам измерения. Он может быть встроен в массив для получения изображений с более высоким разрешением и представляет собой твердотельное устройство без движущихся частей. Это позволяет создавать портативные и переносные датчики.

НАСА активно ищет лицензиатов для коммерциализации этой технологии. Пожалуйста, свяжитесь с консьержем НАСА по лицензированию:Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. или позвоните по номеру 202-358-7432, чтобы начать обсуждение лицензирования. Перейдите по этой ссылке здесь Чтобы получить больше информации.

Лабораторный датчик расхода и температуры Спектрограф интегрального поля на основе линз

Датчик