Встроенная память для выборки ST с изменением фазы для автомобильных микроконтроллеров

STMicroelectronics представила на IEDM2018 тесты архитектуры и производительности технологии на основе 28-нм FD-SOI со встроенной памятью с фазовым переходом (ePCM), разработанной для своих автомобильных микроконтроллеров. Продукты ST, основанные на ePCM, сейчас проходят тестирование для альфа-заказчиков, полевые испытания соответствуют требованиям автомобильных приложений, а полная технологическая квалификация ожидается в 2020 году. Эти микроконтроллеры - первые в мире, использующие ePCM - будут нацелены на системы трансмиссии, усовершенствованные и безопасные шлюзы, безопасность / Приложения ADAS и Электрификация транспортных средств.

В связи с более требовательными автомобильными приложениями ограничения на вычислительную мощность, снижение энергопотребления и более высокие требования к памяти подталкивают к появлению новых автомобильных архитектур микроконтроллеров. Одно из самых сложных требований - это встроенная память большего размера, поскольку сложность и размер микропрограммного обеспечения резко возрастают. ePCM представляет собой решение этих проблем на уровне микросхем и системы, отвечая автомобильным требованиям для AEC-Q100 Grade 0, работая при температуре до + 165 ° C. Кроме того, технология ST обеспечивает сохранение микропрограмм / данных за счет процессов высокотемпературной пайки оплавлением и невосприимчивость к излучению для дополнительной безопасности данных.