ST Microelectronics демонстрирует 28 нм FD-SOI MCU с встроенным PCM для powertrain, ADAS и электрификации
ST Microelectronics представила на IEDM 2018 архитектуру и производительность 28 нм FD-SOI MCU с встроенной Phase-Change Memory (ePCM). Эти first-in-class MCU сейчас сэмплируются у alpha клиентов, проходя field trials, соответствующие автоспецификациям, и запланированы для полной квалификации в 2020 году.
Спроектированные для powertrain контроля, secure gateways, safety/ADAS и vehicle electrification, ePCM-базированные MCU комбинируют низкое потребление, высокую плотность обработки и большой on-chip memory — адресуя растущие требования современного автософта. Технология удовлетворяет AEC-Q100 Grade 0, работает до +165 °C и гарантирует удержание прошивки и данных через high-temperature soldering reflow и radiation immunity, обеспечивая максимальную надежность.
Встроенный
- VersaLogic представляет надежный 8- и 12-ядерный встроенный сервер Grizzly для Edge и IoT
- TDK запускает HVC 4420F: интегрированный 64 КБ Flash мотор-контроллер с передовыми диагностиками для автомобильных ум…
- Infineon представила серию TLE985x Embedded Power для автомобильного управления двигателями
- TDK представила передовые встроенные инновации на Embedded World 2019
- SMART Modular гарантирует 10-летнюю поддержку модулей памяти DDR3
- Cervoz ультра-тонкие M.2 NVMe SSD: высокопроизводительное хранение для промышленных пограничных приложений
- DATA MODUL запускает гибридную технологию склеивания для промышленных сенсорных дисплеев высоких объемов
- PHY Wireless представляет ультра‑низкопотребляющую высокоточную LTE/5G локализационную IP для IoT
- Pixus представляет rugged 6U OpenVPX фейсплейты с усиленной структурной целостностью
- Sierra Wireless продает авто‑модули Rolling Wireless, фокусируясь на высокомаржинальном IoT