Понимание лестничного ЦАП R/2R: альтернатива двоично-взвешенным преобразователям
Лестничный ЦАП R/2R — популярная альтернатива традиционному двоично-взвешенному (R/2ⁿR) преобразователю, предлагающая более простой набор резисторов без потери производительности.
R/2R против R/2ⁿR
Традиционные двоично-взвешенные схемы требуют уникального номинала резистора для каждого разряда — часто восемь разных резисторов для 8-разрядного преобразователя. Это усложняет спецификацию компонентов (BOM) и сборку.
Хотя можно скомбинировать одинаковые резисторы последовательно для получения нужных значений, это лишь переносит сложность от разнообразия к количеству, делая схему громоздкой и трудной для управления.
Что такое лестничный ЦАП R/2R?
Размещая только два типа резисторов (R и 2R) в лестничной структуре, схема достигает того же двоичного взвешивания, сохраняя управляемое число компонентов. Ниже приведена схема лестничной сети:
Хотя математический анализ сложнее, чем для простых взвешенных резисторов, лестницу можно рассчитать через эквиваленты Тевенена или смоделировать в SPICE. В таблице ниже приведены выходные напряжения для каждого 3-разрядного входного кода:
| Двоичный код | Выходное напряжение |
|---|---|
| 000 | 0.00 В |
| 001 | -1.25 В |
| 010 | -2.50 В |
| 011 | -3.75 В |
| 100 | -5.00 В |
| 101 | -6.25 В |
| 110 | -7.50 В |
| 111 | -8.75 В |
СВЯЗАННЫЙ РАБОЧИЙ ЛИСТ:
- Рабочий лист: Цифро-аналоговое преобразование
—
Промышленные технологии
- Интегральный таймер 555: вечный эталон в аналоговом проектировании
- Квадратное уравнение: надежный инструмент для решения уравнений второй степени
- Первообразные: суть неопределённого интегрирования
- Технология тиристоров: от SCR к TRIAC, GTO и UJT
- Понимание NOT-элемента (инвертора) в схемах TTL
- Мастерство D-защелки: чистая 1-битная схема памяти
- Понимание J-K триггера: проектирование, логика и применения
- Усилитель с общим истом (IGFET): проектирование, смещение и производительность
- Усилитель с общим стоком (IGFET): проектирование, функция и применения
- Усилитель с общей базой IGFET: теория, проектирование и практические применения