Понимание транзисторов с изолированным затвором (IGFET)
В предыдущей главе мы рассмотрели несколько архитектур полевых транзисторов. Транзистор с p-n переходом управления полем (JFET) модулирует проводимость канала, меняя ширину области обеднения обратно-смещенного PN-перехода приложенным напряжением. Транзистор с изолированным затвором (IGFET) работает по тому же принципу области обеднения, но его затвор электрически изолирован от канала тонким диэлектрическим слоем, фактически образуя конденсатор. Эта изоляция позволяет затвор-источному напряжению формировать область обеднения чисто электростатически, без какого-либо прямого токового пути к полупроводнику.
IGFET доступны как n-канальные или p-канальные приборы и делятся на два основных класса: депелеционный режим и усилительный режим. Депелеционный IGFET имеет более близкую родственность с JFET, поэтому наше обсуждение начнется с этой конфигурации.
СВЯЗАННЫЙ РАБОЧИЙ ЛИСТ:
- Рабочий лист по транзисторам с изолированным затвором
Промышленные технологии
- Основы Verilog: проектирование вашего первого И-шлюза
- Основы цепей постоянного тока: понимание прямого тока и базовых электрических концепций
- Понимание цепей переменного тока: Руководство для начинающих
- Схемы на дискретных полупроводниках: Основы и практические приложения
- Основы аналоговых интегральных схем: концепции, компоненты и практические применения
- Начало работы с SPICE: текстовый симулятор электронных схем
- Понимание булевой алгебры: от логических основ к цифровым схемам
- Выбор инструмента для упрощения логики: карты Карно, булева алгебра и САПР
- Введение в электронные лампы: основы современной электроники
- Понимание электрических гармоник: Часть 1 — основы и влияние