Промышленное производство
Промышленный Интернет вещей | Промышленные материалы | Техническое обслуживание и ремонт оборудования | Промышленное программирование |
home  MfgRobots >> Промышленное производство >  >> Manufacturing Technology >> Промышленные технологии

Понимание ROM, PROM, EPROM и EEPROM: дизайн, программирование и идентификация

Память только для чтения (ROM) разделяется многими принципами дизайна с ОЗУ, но ее механизм защелкивания спроектирован для единственного, необратимого цикла записи. Самая базовая ROM использует крошечные предохранители, которые можно селективно сжечь для кодирования двоичной информации; как только предохранитель прерван, данные изменить нельзя, делая эти схемы по сути однократно программируемыми.

Из-за этой способности к однократной записи такие устройства называются Программируемые ПЗУ (PROM). Некоторые программируемые памяти, однако, могут быть сброшены с значительными усилиями, создавая гибрид между ОЗУ и ПЗУ. Их называют Стираемыми Программируемыми ПЗУ (EPROM) — имя, отражающее их уникальную способность быть стертыми и перепрограммированными.

EPROM бывают двух основных вариантов: UV-стираемые EPROM (UV-EPROM) и электрически стираемые EPROM (EEPROM). Оба типа полагаются на MOSFET с емкостными защелками заряда. UV-EPROM очищаются экспозицией чипа ультрафиолетовому свету, в то время как EEPROM могут быть стерты и перезаписаны электрически.

EPROM легко идентифицировать по прозрачному стеклянному окну, exponирующему кремниевый кристалл свету. После программирования окно запечатывают лентой, чтобы защитить данные от окружающего освещения. Программирование обычно требует более высоких напряжений, чем используются при операциях только чтения.

 

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:


Промышленные технологии

  1. Основы цифровой памяти: адресация, доступ и волатильность
  2. Микропроцессоры: эволюция вычислений с запрограммированной памятью
  3. Управление памятью в C++: экспертное использование new и delete
  4. Динамическое выделение памяти в C: освоение malloc, calloc, realloc и free
  5. FusionHD: Интеллектуальная флеш-память для IoT нового поколения
  6. Cervoz представляет DDR4-2666 для промышленных AI и IoT решений
  7. Магнитные нейроморфные вычисления повышают эффективность ИИ до человеческого уровня
  8. Ферроэлектрическая память: 10 млрд циклов перезаписи — шаг к космическим ультрапрочным накопителям
  9. 10 правил NASA для написания безопасного критического кода
  10. Динамическое управление памятью в C: malloc, calloc, realloc, free