Renesas:радиационно-стойкий ШИМ-контроллер в пластиковом корпусе и драйвер GaN FET для малых спутников

Renesas Electronics анонсировала первый в космической отрасли радиационно-стойкий ШИМ-контроллер и драйвер на полевых транзисторах из нитрида галлия для источников питания постоянного и постоянного тока в малых спутниках (малогабаритных спутниках) и ракетах-носителях. Контроллер ШИМ с несимметричным режимом тока ISL71043M и драйвер GaN FET нижнего уровня ISL71040M идеально подходят для изолированных каскадов обратного хода и полумостовых силовых каскадов, а также схем управления двигателями в сателлитных шинах и полезных нагрузках. Частные "новые космические" компании начали запускать небольшие спутники, чтобы сформировать большие группировки, работающие на нескольких самолетах на низкой околоземной орбите (НОО). Мега-созвездия Smallsat обеспечивают глобальные широкополосные Интернет-соединения, а также позволяют получать изображения Земли с высоким разрешением для отслеживания объектов на море, в воздухе и на суше.

ШИМ-контроллер ISL71043M обеспечивает быстрое распространение сигнала и переключение выходов в небольшом пластиковом корпусе SOIC размером 4 мм x 5 мм, уменьшая площадь печатной платы до 3 раз по сравнению с керамическими корпусами конкурентов. Кроме того, максимальный ток питания 5,5 мА ISL71043 снижает потери мощности более чем в 3 раза, а его регулируемая рабочая частота - до 1 МГц - позволяет повысить эффективность и использовать компоненты пассивных фильтров меньшего размера. ISL71043M и ISL71040M испытаны на характеристики при полной ионизирующей дозе (TID) до 30крад (Si) и на эффекты единичного события (SEE) при линейной передаче энергии (LET) 43 МэВ • см2 / мг. Оба устройства работают в расширенном диапазоне температур от -55 до + 125 ° C.

Драйвер нижнего плеча GaN FET ISL71040M безопасно управляет GaN полевыми транзисторами Renesas в изолированной топологии и конфигурациях повышающего типа. ISL71040M работает с напряжением питания от 4,5 В до 13,2 В, напряжением управления затвором (VDRV) 4,5 В и включает как инвертирующие, так и неинвертирующие входы. Разделенные выходы устройства регулируют скорость включения и выключения, а его способность к источнику и потребителю высокого тока позволяет работать на высоких частотах. ISL71040M обеспечивает надежную работу при управлении полевыми транзисторами из GaN за счет точного управления напряжением драйвера затвора до + 3 / -5% по температуре и излучению. Он также включает в себя схему беспотенциальной защиты для исключения непреднамеренного переключения.